《表3 SF6绝缘件表面场强设计控制值[2]》

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《沿面电场对GIS绝缘子闪络电压的影响》

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根据表3所示绝缘件设计基准，绝缘件表面切向允许场强为屏蔽件表面允许场强的1/2。参照图8所示绝缘件表面其体侧电场（Eg）及其切、法向分量（Egt、Egn）的关系可知，当?>60o时，Eg>0.5Etg，即绝缘件沿面的合成场强大于屏蔽件表面允许场强。根据工程经验，在稍不均匀场下SF6气体中的间隙击穿和沿面闪络的临界场强与气压的关系如图9所示。可见，气体击穿的临界场强明显高于沿面闪络的临界场强。当上述情况出现时（?>60o），有可能出现放电从绝缘件表面起始的现象。综上分析，仅通过设置绝缘件表面切向场强的控制值，并不能将绝缘子的沿面电场控制在放电起始场强值之下。