《表2 检验项目汇总表：基于国产55nm工艺的12bit 160MSPS ADC IP核设计与实现》

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《基于国产55nm工艺的12bit 160MSPS ADC IP核设计与实现》

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本文ADC设计采用中芯国际（上海）55nm LL工艺，主要性能指标为分辨率1 2 b i t，采样率100MSPS，工作温度区间-40～85℃，输入电压范围2Vpp。经华东师范大学微电子电路与系统研究所第三方检测（报告编号：TR20140425001），本款ADC指标测试达到或超过设计预期详见表2，主要指标与国际IP供应厂商S3 Group的同类产品性能相当。表2中，Worst Case*指2.5V，TT@60℃；2.25V，SS@100℃；2.75V，FF@-40℃中的最差仿真结果。