《表1 BTO/CFO陶瓷在加磁场与未加磁场下剩余极化强度（μC/cm2)》

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《烧结温度对钛酸钡/铁酸钴陶瓷性能影响》

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在2 mT磁场作用下，不同烧结温度BTO/CFO陶瓷的电滞回线如图7所示，陶瓷在加磁场与未加磁场下剩余极化强度的变化如表1所示。在磁场作用下陶瓷的电滞回线与未加磁场作用下陶瓷的电滞回线形状相似，这可能是由于施加磁场低（2 mT），磁场影响很小，形状基本不变，剩余极化强度和矫顽场强的变化也较小。从表1中可以发现：在磁场作用下，所有样品的剩余极化强度均减小，当烧结温度为1300℃时，剩余极化强度的相对变化量最大，为34.69%，表现出较强的磁电耦合效应。一般来说，在外加磁场的作用下，磁电复合材料的剩余极化强度有一定的变化。而在本实验条件下得到的陶瓷，在外加磁场的作用下，其剩余极化强度却有下降的趋势，这可能是因为材料的缺陷（例如孔洞、缝隙、气孔等）所导致的，从而使得材料的性能有所降低；还有可能是因为铁磁相和铁电相分布不均匀，存在团聚等现象，从而也引起材料的磁导率和电阻率降低。