《表2 不同Cst下的模拟结果》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《TFT-LCD四角发黑Mura的研究与改善》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

ADS(Advanced Super Dimension Switch）显示模式下的存储电容（Cst）由两层ITO的交叠面构成，因此单基板65/90测试TEG B的电容变化可等效为TFT-LCD的Cst在信赖性过程中发生的变化。以操作电压Vop=3.0V的255灰阶画面为例，我们分别模拟了Cst增大10%、20%和30%下，充电电压和对应灰阶的变化，具体结果见表2。Cst增加后，充电电压减小，其与初始状态的差值即为充电电压的变化量ΔCV，再根据V-T曲线换算得出灰阶的变化量ΔGrey。当Cst增大10%时，即可达到肉眼可分辨的约2个灰阶的差异。Cst不断增加，相应的灰阶差异也就越大，当Cst增大20%和30%时，相应的灰阶差异分别有4个和6个。从实际观察结果看，Mura区域至少比正常区低了10个灰阶以上，据此推算在长期信赖性过程中，相应的Cst的电容变化量应该在50%以上。而针对有机树脂层吸水后导致介电常数增大的问题，我们也模拟了其对ADS模式下Vcom信号波形的影响，但从结果上看，Vcom信号波形的变化很小不足以导致如此明显的灰阶差异。由于在实际测试中，也没有探测到Mura区Vcom信号的明显异常，因此，从设计模拟结果来看，不良发生的根本原因是水汽进入PVX2膜层导致的Cst的差异，而非水汽进入了有机树脂层引起的。