《表1 近年来多孔硅(pSi)基负极锂电池的电化学性能总结》

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《多孔硅纳米材料的制备及在高能锂电池中的应用》

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尽管相对于块体硅而言，多孔硅拥有的丰富孔道能够在一定程度上提升锂离子的传输速率，但限于硅的半导体特性，导电性差仍然是限制硅负极锂电池性能提升的关键因素之一。因此，对多孔硅进行合适的后处理显得非常有必要。常规的后处理方法主要是对多孔硅进行碳包覆处理，通过碳包覆或掺杂可以大大增强多孔硅的导电性，从而提升其倍率性能[52-55]。表1总结了近年来所报道的多孔硅负极的电化学性能。此外，除了碳包覆处理外，还可以结合导电高分子尤其是弹性导电高分子进行后修饰，弹性导电高分子不光可以提升硅的导电性能，而且可以将多孔硅的体积膨胀限定在一个弹性空间，有效释放了体积变化所带来的巨大应力[56-58]。