《表1 n-PERT电池PC1D模拟输入参数》

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《n型太阳电池硼扩散制备正面发射极工艺研究》

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用于模拟n-PERT电池基本输入参数如表1所示，输入变量为正面发射极掺杂浓度和结深因子（用于改变结深），输出变量为Voc和Jsc，为减少其他输入参数对模拟结果的影响，因此用于模拟的输入参数基本参数要优于实际值，如硅片体少子寿命、正面和背面复合速率以及总的串联电阻。图2为硼峰值浓度以及结深因子对开路电压（Voc）和短路电流密度（Jsc）影响的模拟结果。表面掺杂浓度在1018～1019MPa/cm3范围内变化，结深由深度因子控制变化，当深度因子在0.02～0.3μm内增大时，p-n结深度变化为0.1～1μm。由图2可知随着硼表面浓度的降低，输出的开路电压（Voc）和短路电流密度（Jsc）均有增大。另外当表面浓度较低时，发射极深度的变化对电池的性能的影响较小。根据模拟结果可提供发射极优化的方向，通过改变扩散条件以降低扩散后发射极表面浓度提高发射极质量进而提升电池性能。