《表1 设定的初始空位浓度》

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《初始空位浓度对硅晶圆中V-O_2对演变影响的仿真》

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为考察初始空位浓度对模拟区域中V-O2对演变的影响，设定初始空位浓度在模拟区域内随机均匀分布且其最小值为模拟区域存在1个空位时所对应的空位浓度值；在RTP处理的硅晶圆内空位浓度变化范围内，选择3个不同的初始空位浓度平均值（其中，2个较高，>Ck；1个较低，