《表3 合成条件对余甘子固定化单宁吸附三价及以上金属离子的影响》

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《余甘子固定化单宁的制备及其对Ge(Ⅳ)、Ga(Ⅲ)及In(Ⅲ)的吸附特性研究》

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余甘子固定化单宁的合成条件对产物吸附金属离子的效果见表2和表3。由表中数据可知，制备的PEIT对价态较高的金属离子有较强的选择吸附性能，尤其对Ge（Ⅳ）、Ga（Ⅲ）、In（Ⅲ）有较好的吸附性能。待吸附液中存在的其他金属离子对Ge（Ⅳ）、Ga（Ⅲ）、In（Ⅲ）存在“协同”、“盐析”和“竞争”的作用关系，导致PEIT在纯锗离子体系中，与其在复杂金属离子溶液体系中的吸附过程与吸附机理明显不同，吸附量较纯锗、镓、铟体系具有一定差异。这一点也已由前人的相关研究佐证，如Zhang等[15]发现1，2，3，4，6-五-O-没食子酰基-β-d-葡萄糖（PGG）在吸附锗的过程中Zn离子的存在会抑制锗的析出，但随着Zn浓度的增加，抑制锗析出的能力逐渐降低；Kagaya等[16]发现磷酸铟会与Fe、Cr、Pb等金属离子产生协同作用共同析出。