《表2 不同FER质量比的PLA/FER/PBS共混材料在低频区的斜率值Table 2 PLA/FER/PBS blend of the different FER in low frequency

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《环氧呋喃树脂反应性增容PLA/PBS共混体系的动态流变学表征》

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图5给出了不同FER含量的共混体系动态模量随频率的变化曲线。根据经典线性黏弹理论，在低频区末端G&apos；和G&apos；&apos；与频率（ω）应该满足G&apos；∝ω2，G&apos；&apos；∝ω关系[17]，即G&apos；和G&apos；&apos；与ω的双对数曲线在低频区末端斜率分别为2和1。但是上述理论只适用于单分散性单组份体系，对于非均相高分子体系动态黏弹函数一般不满足上述关系，出现所谓的“第二平台”现象。由图5和表2可见，在低频区末端PLA/PBS共混体系的动态模量对频率的依赖性并不符合上述关系式，这是共混体系发生了相分离而相容性较差所致。不同FER含量的共混体系动态模量对ω表现出不同的依赖性，当FER含量为0.3 phr时曲线的斜率基本满足上述关系式，表明FER使PLA和PBS之间相互作用较强，两者的相容性改善，因为FER在熔融挤出过程中与PLA分子链发生的接枝反应增强了两相间的相互作用力，改善了PLA和PBS的界面相容性[5]。