《表1 低噪声场效应晶体管性能[21]》

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《Ⅲ-Ⅴ族半导体微重力生长研究进展》

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基于空间生长的半绝缘Ga As晶体，Chen等人[21]制备了低噪声场效应晶体管和模拟开关集成电路，其各项性能较地面材料制造的相同器件有明显提高.空间晶体制备的低噪声场效应晶体管平均增益大于21 d B，平均噪声小于0.9 d B，而地基晶体制作的器件这两个参数分别为17.75和1.5 d B，如表1所示.此外，利用空间Ga As晶体研制的模拟开关集成电路背栅阈值电压普遍大于8 V，而地基器件只有6 V，同时基于空间材料制作的电路平均开启时间与光响应度指标也均明显优于地基电路.器件级半绝缘Ga As晶体的研制成功是我国微重力材料科学最突出的成就之一.