《表2 不同位置的最可几波长、束流发散度及传输率随通道个数的变化》

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《CMRR中子自旋回波谱仪引束导管模拟研究》

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弯导管出口、引束导管出口及样品位置中子能谱的最可几波长、束流发散度及相应导管的传输效率随波长的变化如表2所示，表中L表示最可几波长；D表示水平最大束流发散度；T表示相应中子导管传输效率。从表2可以看到，弯导管出口最可几波长随弯导管通道个数增加而先减少后基本保持不变，束流发散度随通道个数增加而减少，弯导管传输率随通道个数增加而先增加后减少。引束导管出口最可几波长随弯导管通道个数增加而先减少后基本保持在0.5 nm左右，相应的束流发散度随通道个数增加而减少，传输率随通道个数增加而增加。样品位置最可几波长随弯导管通道个数增加而先减少后基本保持在0.45 nm，从引束导管出口到样品处的传输效率随通道个数增加而增加。由于在样品前放置截面为30 mm×30 mm的狭缝，故引束导管出射中子的发散度只有在一定范围内才可被狭缝后的探测器所接收。