《表2 碳化硅材料吸波性能对比》

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《竹节状碳化硅晶须吸波性能研究》

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表2为本工作与类似工作在涂层厚度与原料等方面对比的相关数据，可以发现本文制备的竹节状碳化硅晶须比大多数一维材料吸波性能优异，在吸波性能差距不大时，竹节状碳化硅晶须具有原料价格低廉、制备方法简单、厚度较薄、更为轻质的特点；与其他碳化硅材料相比，一维竹节状碳化硅材料吸波性能更好，除了因碳化硅材料固有偶极子取向极化等介质极化吸收电磁波，增强能量损耗外，还可能有以下原因：处于电磁场中的竹节状碳化硅晶须，载流子沿一维方向发生定向移动时，会发生因截面变化而周期改变载流子的传输路径的现象，增强电导损耗；一维竹节状碳化硅可以发挥比表面积更大的优势，在交变电子场作用下，比表面积增大，界面的正电荷和负电荷的积累会引起表面电荷密度的变化，产生电偶极矩，增强界面弛豫损耗；一维竹节状碳化硅材料在基体中弥散分布，晶须易相互搭接，形成三维导电网络结构，电荷沿网络结构迁移，导致电导率增加，电导损耗增强，同时三维网络结构延长电磁波在吸波涂层中的传播路径和通道，有利于电磁波的多重反射和散射，增加电磁波能量耗散[38]；最后，由图1 XRD谱图所显示的晶须堆垛层错会产生大量空位和位错，改变晶体结构，增大晶体能量，破坏材料内部电荷的平衡，引起电子极化，增强能量损耗，实现对电磁波的衰减。图8表示了竹节状碳化硅晶须吸波损耗机制的基本原理。