《表3 不同电场强度下腐蚀7d后试样表面元素含量（原子分数）》

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《高压直流电场对5052铝合金在模拟海水干湿交替条件下腐蚀行为的影响》

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由表3可知，铝、镁和氧元素含量均随着电场强度的增加而减少，计算得到氧/铝原子比呈上升趋势，说明氧元素相对是增加的，即铝合金在电场强度作用和模拟海水干湿交替条件下腐蚀得更快。氧化铝层是一种绝缘材料，氧化物峰的位置随氧化层的厚度而变化，氧化层越厚，峰位越正移，氧化物和金属峰的相对强度也随氧化层厚度而变化，因此可通过XPS谱得到铝合金的氧化层厚度变化趋势。Al2p峰具有紧密间隔的自旋轨道分量，氧化铝的Al2p峰的自旋轨道分裂极其微弱，可以忽略不计；金属铝的Al2p峰表现出不对称的峰形；铝的氢氧化物具有对称的Al2p峰。通过查询XPS谱数据库发现，在典型的试验条件下金属铝的自旋轨道分裂表现为不对称的峰形而不是完全分裂的峰形。在0，200，400kV·m-1电场强度下，Al2p峰位分别为74.30，74.30，74.15eV，但半高宽分别为2.80，2.41，2.20eV，半高宽反映氧化铝的厚度，可知当电场强度由0kV·m-1增加到200kV·m-1时，氧化膜厚度变化较大，说明氧化膜破坏得较为严重，而在400kV·m-1电场强度下氧化膜最薄，该结论与SEM形貌观察结果和腐蚀速率结果相吻合。