《表2 不同粒度原料产物的粒度分析结果》

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《多热源真空合成高纯度、高密度、大粒径3C-SiC微粉》

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关于原料粒度对产物粒度和形态结构的影响，目前有2种观点[13]:一种是Yamada等提出的溶解析出机制，认为碳化硅的粒度完全由硅质原料粒度决定；另一种是Pampuch等提出的扩散控制机制，认为碳化硅颗粒的粒度和形态结构取决于碳质原料的粒度和形态结构。为了获得粒径较大的高纯高密度3C-SiC晶体，与工业常用毫米级原料和学者们常用的纳米级原料不同，本文中选用2种平均粒径为100、150μm微米级原料、碳硅比均为1.05∶1进行实验研究，研究原料粒度对产物粒度的影响。不同粒度原料产物的粒度分析结果和SEM图像见表2和图1。