《表1 高硅铸铁辅助阳极主要化学成分》

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《交流干扰和阴保作用下辅助阳极电化学行为研究》

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回路1为交流干扰回路，其中交流电流密度（AC）通过交流信号源施加，频率设置为50 Hz，将高硅铸铁试片与交流信号源一极相连接，另一极设置为石墨电极，设置输出为正弦交流电流信号。回路2为阴极保护回路，阴极保护通过电化学工作站PARSTAT2263恒电位模式施加，主要以工作电极（WE）高硅铸铁试片与辅助电极（CE)Pt电极形成阴保回路。高硅铸铁广试片的主要化学成分见表1。高硅铸铁广试片的裸露面积为1 cm2，除留有一个阔面外，其他面通过环氧树脂封装，并在背部焊接一根铜导线。为防止两个回路之间相互干扰，在回路1中串联电容以屏蔽直流信号，在回路2中串联电感以屏蔽交流信号。