《表2 r为50μm的样品随时间的腐蚀速率》
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《基于SiO_2掩膜层的硅基微半球谐振子模具加工工艺》
本文以r为50μm的样品作为实例展示半球谐振子模具的腐蚀形貌随时间的演化。其扫描电子显微镜照片以及相关测量情况如图6所示。根据图4测量所得的各时间点Rh和RX,通过式(6)和式(7)可知该样品各时间段的vh以及vX,如表2所示。从表2中可以看出,r为50μm的样品在0~5 min的vh和vX均明显大于5~10 min和10~15 min的vh和vX;而且5~10 min和10~15 min的vh和vX相近。证明该样品符合上文中所获得的vh和vX随反应时间的变化规律。
图表编号 | XD00129500500 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.04.15 |
作者 | 郑显泽、李严军、王月、唐彬、熊壮 |
绘制单位 | 中国工程物理研究院电子工程研究所、中国工程物理研究院电子工程研究所、中国工程物理研究院电子工程研究所、中国工程物理研究院电子工程研究所、中国工程物理研究院电子工程研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |