《表1 富铟渣氧压酸浸优化条件试验结果》

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《高硅富铟渣氧压酸浸过程中浸铟沉硅的研究》

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通过上述单因素条件试验探索，确定富铟渣氧压酸浸的较佳工艺条件为：始酸浓度120g/L、液固比5∶1、釜内压力0.6MPa、反应温度160℃，反应时间1.5h。在该较优条件下进行了3组平行试验，试验结果见表1。由表1可知，浸出指标稳定，验证了采用氧压酸浸工艺能实现浸铟沉硅的良好效果，铟的平均浸出率为97.3%，硅的浸出率仅1.5%，即较好地实现铟与硅的高效分离；浸出液含杂质离子浓度低，将大大降低后续除杂负担和避免萃取乳化等难题。