《表1 部分MAX相制备MXenes的实验条件》

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《新型2D MXenes纳米材料在光催化领域的应用》

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该反应中反应式（1）生成Ti3C2剥离层，而反应式（2）和反应式（3）则是被简化的方程，因其反应过程中假设MXenes表面终端分别出现—OH或—F终端，但实际上它们很可能是两者的组合。由于刻蚀是一个动力学控制的过程，所以每种MXenes需要不同的蚀刻时间来实现完全的剥离。通常Mn+1CnTx式中n较大的MXenes需要更强的蚀刻力或更长的侵蚀时间。例如，在相同的刻蚀条件下，Mo2Ti2Al C3（n=3）需要的刻蚀时间是n=2对应物（即Mo2Ti Al C2）的两倍，表1列出了部分MXenes的侵蚀条件。由于MXenes合成中需要高浓度的HF，从而限制了这些材料的应用。因此，有必要开发一种安全、快速的剥离工艺。Gogotsi等[17]采用盐酸（HCl）和氟化锂盐（Li F）从Ti3Al C2中刻蚀Al，这种一步同时刻蚀和插层的方法，可以获得高产量的MXenes，该实验表明质子和氟离子的存在是刻蚀MAX相形成层状MXenes的必要条件。在金属卤化物存在下刻蚀会导致阳离子（例如Li+）和水的插入，从而导致层间距增大，削弱了MXenes层之间的相互作用。