《表1 不同外加电压以及氟离子浓度下TNAs粗糙度》

《表1 不同外加电压以及氟离子浓度下TNAs粗糙度》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《TiO_2纳米管阵列粗糙度调控及其与蛋白相互作用》


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采用AFM对TNAs表面形貌及粗糙度进行表征。图3是0.4%(质量)氟离子浓度下的四个外加电压(15、25、35、45 V)下的TNAs的2D以及表面高度图。从2D图可以发现,随着阳极氧化电压的增加,TNAs的管径增加。另外,随着氧化电压的增加,TNAs的粗糙度增加,通过均方根(root-mean-square,RMS)处理得到15、25、35、45 V电压下制备得到的TNAs粗糙度分别约为23.2、47.5、61.4、85.2 nm(表1)。同时,发现表面高度图的起伏程度也随着电压的增大而增大,波谷深度从约90 nm到350 nm,即裂纹导致的起伏越来越明显,这也是粗糙度逐渐增加的原因。