《表1 室温不同频率下的V0,Nd,WD，Φn，ΦB0实验数据》

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《石墨烯/硅光电探测器的I-V及C-V特性》

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低频时，界面态跟随交流小信号的变化，俘获电子填充界面的空缺状态．相较于高频，捕获电子减小了耗尽层电场强度，空间电荷及耗尽层宽度WD也相应减少．这使得Si中电子更易注入Gr，意味着势垒高度的减小．换言之，更多的电子注入Gr使Gr的费米能级抬高，即Gr的功函数减小．根据式（4），势垒高度ΦB0减小．综上所述，器件最好工作在高频情况下，有利于减少界面态的影响，获得大的势垒高度、内建电场，从而减少载流子的复合，提升器件的性能．