《表1 复合材料配方:碳含量对反应熔渗法制备SiC晶须增强碳化硅陶瓷性能的影响研究》

《表1 复合材料配方:碳含量对反应熔渗法制备SiC晶须增强碳化硅陶瓷性能的影响研究》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《碳含量对反应熔渗法制备SiC晶须增强碳化硅陶瓷性能的影响研究》


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首先采酚醛树脂(10 g)对SiC晶须进行碳包覆,工艺如下:将酚醛树脂、晶须溶解于400 m L的乙醇中混合均匀,超声振荡30 min后,磁力搅拌12 h,取出烘干备用。将样品放置在管式炉中升温至900℃,保温2 h(充N2保护),获得碳包覆的SiC晶须。然后按表1组分设计称重后在行星式球磨机中球磨,以乙醇为球磨介质,球磨转速200 r/min,球磨12 h得到复合陶瓷浆料,再在浆料中添加4种不同质量分数的炭黑,分别为5wt%、10wt%、15wt%、20wt%,调节球磨转速为150 r/min,球磨24 h后得不同质量分数炭黑的SiCW/Si C陶瓷浆料,之后造粒、模压成型得到素坯,成型素坯进行烘干后在900℃真空反应炉(充N2保护)进行排胶,最后在1680℃下进行反应熔渗并保温1 h,得到4组SiCW/SiC复合材料,每组5个试样。对比实验组SiC陶瓷按表2组分设计制备,工艺与复合材料制备方法一致。