《表3 Si3N4样品的室温热导率》
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《MgO-Y_2O_3-Re_2O_3添加对氮化硅陶瓷微观组织及性能的影响》
WANG等[15]针对单一稀土氧化物烧结助剂,对放电等离子烧结后热处理的氮化硅陶瓷的热导率进行了系统研究,发现随稀土阳离子半径增大,氮化硅的热导率呈下降趋势。WEI等[16]针对Mg O-Re2O3助剂,对热压烧结氮化硅的热导率进行了系统研究,也发现除Eu2O3外,随稀土阳离子半径增大,氮化硅热导率基本呈下降趋势,且在Dy至La段下降趋势尤为明显。表3为六个样品的室温热导率,可以看出三元Mg O-Y2O3-Re2O3添加剂仍遵循此规律。
图表编号 | XD00117122000 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.12.01 |
作者 | 鲁欣欣、刘伟、李林、李建斌 |
绘制单位 | 广东工业大学先进加工工具与高技术陶瓷研究中心、广东工业大学先进加工工具与高技术陶瓷研究中心、广东工业大学先进加工工具与高技术陶瓷研究中心、广东工业大学先进加工工具与高技术陶瓷研究中心 |
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