《表2 不同开口位置条件下耦合信号的主要参数》

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《开口金属腔体对强电磁脉冲的耦合效应》

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对计算所得的数据进行整理计算，可以得到不同探针处的平均功率密度和总的能量密度值。表2为C0 probe处的数据处理结果。从表中可以看出，不同开口位置下电场探针测得的电场信号值差别较大，这说明腔体开口位置对强电磁脉冲耦合效应具有较大影响。不论是对于HEMP还是HPM，当腔体开口平面与激励波入射方向垂直（z平面）时，入射波耦合效应最显著，能够耦合进入目标腔体的电磁能量最多；当开口平面平行于入射波方向时，电磁脉冲耦合值相对较小。另外，值得注意的是，开口在任意位置时HPM耦合信号功率密度都比较大，达到了多种电子元器件的电磁损伤阈值级别。