《表2 不同缓蚀剂在3%NaCl腐蚀溶液中的EIS拟合参数》

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《硫脲增强苯并三氮唑对Cu的防腐作用研究》

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LF下的直线阻抗曲线对应Warburg阻抗（Zw），代表电活性物质的扩散[6，21]，例如Cu-NaCl界面上的Cl-或可溶性铜络合物的运输或Cu表面溶解氧的扩散。图4是Cu浸泡在不含和含有缓蚀剂的3%NaCl腐蚀溶液中4 h的Bode图。从图4a中可以看出，在3%NaCl腐蚀溶液中加入缓蚀剂后，阻抗明显增大。TU的添加呈现出的阻抗增减趋势与Nyquist图相符。在BTAH体系中加入0.50 mmol/L TU时，其阻抗达到最大。从图4b的Bode相位图中可以看到，加入0.50 mmol/L TU时，Bode相角最大为82.9o，说明电极的电容性增加，表明缓蚀剂在电极表面形成的保护膜层更加致密，腐蚀过程受到抑制。采用两种等效电路模型（图5a和b）对EIS数据进行拟合和分析，拟合所得的EIS参数见表2。其中，Rs是系统的溶液电阻，Rf是在Cu表面上形成的保护膜的电阻，Rct表示电荷转移电阻。Zw是Warburg阻抗，Qf和Qdl是用于代替膜层电容（Cf）和双层电容（Cdl）的恒定相位（CPE）。CPE的阻抗表示如下：