《表2 改性前后Cu晶体各晶面面积》

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《聚乙烯吡咯烷酮对亚微米级铜晶体的形貌控制机制》

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晶体形貌的改变首先应从晶体的理论生长特性/惯性面展开研究，为验证上述推测，运用Gibbs-Wulff定律，模拟Cu晶体及各晶面的生长习性。改性前，Cu晶体的理论生长形貌及实际晶体的SEM图如图6所示。如图可知，水热法制备的Cu晶体生长速率较快，显露的晶面较少，（111）晶面呈六边形，（220）晶面呈长方形，（220）晶面呈八边形，模拟结果与SEM图相符，说明Gibbs-Wulff定律可以解释Cu晶体的形貌。调整显露的最小晶面间距可得到改性后Cu晶体理论生长形貌图，结果如图7所示。可以看出，各晶面充分显露，晶体呈带有棱角的近球形，与图2c中Cu晶体的SEM图相同，改性后的Cu晶体形貌同样可以用Gibbs-Wulff定律解释。改性前后Cu晶体各晶面面积如表2所示。可以看出，（111）、（200）和（220）的面积明显减小，显露的表面增多。