《表4 反应气体总气流量对镀膜均匀性的影响情况》

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《管式PECVD设备多晶硅镀膜均匀性的改善研究》

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注：以方案1为基准线，在方案1的基础上变更反应气体总气流量

将同批次实验硅片均匀分为3组，每组240片，内层反应气体的氮硅比固定为4.079，外层反应气体的氮硅比固定为10.256；然后改变反应气体总气流量，观察其对镀膜均匀性的影响，具体影响情况如表4所示。