《表1 CoSi2试验结果》

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《千瓦级硅LDMOS微波功率晶体管关键技术研究》

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Ω/□

通过试验研究了不同退火温度下，溅射不同厚度的Ti和Co得到的合金电阻，试验结果如表1所示。从表1可见，在不同的退火条件下，合金体系A的方阻最小，最低达到2Ω/□以下，B和C方阻均值接近，可达到2.5Ω/□左右；方案D的合金方阻达到2.2Ω/□左右，且一致性最好。