《表1 样品的晶胞参数、比表面积及AZB初始吸附率》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《Y掺杂量对N-BiVO_4可见光催化活性的影响》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

图2为BVO，N-BVO，6Y-BVO和xY-N-BVO系列（x=5，6，7，8）样品的X射线衍射图。通过与标准图对照，各样品的所有衍射峰均与单斜白钨矿型BiVO4（PDF No.75-1866）衍射峰的位置相吻合；并且峰谱中没有出现N和Y的特征峰，原因可能是N和Y的掺杂量过低，低于检测限，抑或是N和Y及其化合物的结晶性差，观察不到相应的XRD信号。对（121）晶面处的主峰放大，可以看出，随着N-Y掺杂量的增加，特征峰衍射角逐渐微量左移，表明有少量的N和Y进入BiVO4晶格而导致晶格畸变。此外，图2结果表明，掺杂导致衍射强度降低，峰形宽化，说明N和Y有效掺入BiVO4晶格，抑制了晶粒生长。XRD分析结果列于表1，可知Y掺杂N-BiVO4后，共掺杂样品的晶体粒径随着Y掺杂量的增加而逐渐降低，晶胞体积也逐渐减小；此外，Y-N共掺杂对BiVO4晶粒生长的抑制作用强于N单掺杂和Y单掺杂，说明N-Y共掺杂对抑制晶粒生长产生协同作用。分析认为，N3-的半径（0.171nm）大于O2-的半径（0.140nm），N3-取代BiVO4晶格中的O2-应引起晶格膨胀，然而样品的平均粒径和晶胞体积均为减小的规律，说明N并没有进入BiVO4晶格内部，而是在晶格间隙形成V-O-N或O-N结构，阻碍了晶格点阵的重排，从而抑制晶粒生长[15]。Y3+的半径（0.09nm）小于Bi 3+的半径（0.103nm），Y3+进入BiVO4晶格内部取代Bi 3+，将引起晶格收缩，导致晶体粒径减小[18]。