《表1 4X探头热阻测试结果》

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《功率放大芯片红外热分析探讨》

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本文试验中选取的被测器件为GaAs pHEMT功率放大器芯片，其推荐的工作条件为：漏电压Vd为+9 V（占空比为10%，脉宽为120μs），栅电压Vg为-0.9～-0.7 V。在本文中试验分别选取静态直流工作（漏极电压占空比为10%），静态直流工作（漏极电压占空比为30%），施加10.45 dBm、10%占空比脉冲功率下；施加10.45 dBm、30%占空比脉冲功率下工作共4种状态下测试，测得的结果如表1所示。