《霍耳效应及有关现象》求取 ⇩

目录1

序言1

1．半导体中的导电过程1

1.1　绪论1

1.2　霍耳效应和电导率1

1.3　电子导电理论4

1.4　半导体的Wilson模型9

1.5　早期对于硅和锗的研究工作：本征导电的观测12

1.6　对于硅和锗研究的最近进展16

1.7　对输运性质的最近研究20

参考文献21

2．输运性质及其测量方法22

2.1　电导率、霍耳效应及磁阻效应22

2.2　厄廷好森、能斯脱和里纪-勒杜克效应25

2.3　温差电效应28

2.4　热导率30

2.5　测量输运性质所需的一般条件32

2.6　电导率、霍耳系数及磁阻效应的测量41

2.7　热导率、温差电效应和热磁效应的测量52

2.8　实际应用59

参考文献60

3．各向同性固体里的传导62

3.1　绪论62

3.2　电子浓度：费密-狄喇克统计法62

3.3　电导率的计算：弛豫时间66

3.4　热导率和温差电功率70

3.5　有磁场存在时输运性质的普遍方程74

3.6　霍耳效应78

3.7　电流磁效应的普遍表式79

3.8　正空穴82

3.9　混合导体82

3.10　简并的导体87

3.11　有限磁场中的行为：磁阻效应93

参考文献96

4．典型半导体的行为97

4.1　数字实例97

4.2　实际半导体的能带99

4.3　霍耳系数和载流子浓度的关系104

4.4　混合导电105

4.5　在本征导电开始附近，霍耳系数和电导率的行为113

4.6　混合导体的霍耳系数对磁感应的依赖关系117

4.7　本征导电120

4.8　含有多种杂质中心的系统：杂质中心可容纳多个电子128

4.9　杂质中心的互作用133

4.10　电子散射、弛豫时间、迁移率134

4.11　结构灵敏导电149

4.12　薄膜和烧结样品150

4.13　表面沟效应152

4.14　表面寿命对电流磁效应的影响154

4.15　杂带导电156

4.16　磁阻效应161

4.17　强磁场中的量子效应169

4.18　温差电效应和热导率174

4.19　能斯脱、厄廷好森及里纪-勒杜克效应180

参考文献184

5．半导体电学性质概述187

5.1　半导体材料的趋向187

5.2　IVB族元素189

5.3　Ⅲ-Ⅴ族化合物204

5.4　硫化铅、硒化铅及碲化铅216

5.5　Ⅱ-Ⅵ族化合物223

5.6　其他单质半导体229

5.7　其他化合物半导体235

参考文献245

人名索引249

索引253