《场助半导体光电阴极理论与实验》

第一章 光电阴极的发展史1

第一节 历史回顾1

目录1

第二节 半导体光电阴极5

第三节 场助半导体光电阴极10

第四节 TE原理的场助阴极13

第一节 量子效率的理论分析与计算19

1.1概述19

第二章 场助红外半导体光电阴极的理论分析与计算19

1.2量子效率的计算基础20

1.3场助阴极量子效率的计算22

1.4场助阴极量子效率的计算结果27

1.5结果讨论30

第二节 场助阴极暗电流的理论分析与计算31

2.1概述31

2.2暗电流源的分析32

2.3理论计算32

2.4计算结果35

2.5讨论37

第三节 场助阴极的能带计算41

3.1引言41

3.2InGaAsP/InP异质结界面处的电子传输41

3.3InGaAsP异质结能带的计算模型42

3.4InGaAsP/InP异质结能带的计算结果44

3.5结果讨论44

3.6结论48

第一节 一般描述49

第三章 场助红外半导体光电阴极的设计49

第二节 场助红外半导体光电阴极的设计50

2.1InP直接发射场助光电阴极50

2.2InGaAsP/InP异质结TE阴极52

2.3InP/InGaAsP/InP双异质结TE阴极55

2.4GaAs(衬底)/InP(Ⅰ)/InP(Ⅱ)/56

InGaAsP/InPTE阴极56

第三节 场助红外半导体光电阴极研究的整体方案59

第一节 LPE生长系统61

第四章 液相外延系统61

第二节 真空系统64

第三节 氢气纯化系统65

第五章 场助红外半导体光电阴极的材料生长67

第一节 引言67

第二节 液相外延及InGaAsP的生长技术72

2.1概述72

2.2InGaAsP四元系相图74

2.3生长溶液过冷度的确定76

2.4掺杂量的确定77

2.5晶格失配的调整79

第三节 阴极材料的外延生长81

3.1外延前的准备工作81

3.2外延生长83

第六章 场助阴极材料的测试结果89

第一节 X射线双晶衍射的测试89

第二节 扫描电镜的能谱测试93

第三节 外延材料的解理面95

第四节 外延层的掺杂浓度99

第七章 场助阴极的欧姆接触及肖特基结101

第一节 场助阴极的欧姆接触101

1.1引言101

1.2p型InP欧姆接触的金属系102

1.3欧姆接触的蒸发系统及工艺条件102

2.1引言104

2.2肖特基结的蒸发系统104

第二节 场助阴极的肖特基结104

2.3场助阴极肖特基结的制备106

2.4肖特基结的理想因子108

2.5肖特基结的热退化109

第八章 场助光电阴极的表面清洁及激活111

第一节 引言111

第二节 阴极材料的表面清洁112

第三节 半导体光电阴极的激活117

参考文献129