《发光二极管》求取 ⇩

目录1

第一章 绪论 青木昌治1

1.1 引言1

1.2 荧光现象的发现和发光二极管的进展1

1.3 发光二极管应用的推广5

第二章 发光二极管的材料和发光机理 前田敬二6

2.1 半导体的性质7

2.1.1 晶体结构7

2.1.2 能带10

2.1.3 光吸收13

2.1.4 杂质能级15

2.1.5 复合过程18

2.1.6 供发光二极管用的晶体20

2.2 p-n结及其特性23

2.2.1 p-n结的结构24

2.2.2 p-n结的伏安特性26

2.2.3 p-n-p-n负阻器件31

2.3 直接跃迁晶体的发光跃迁33

2.3.1 GaAs33

2.3.2 GaAs1-xPx41

2.3.3 Ga1-xAlxAs44

2.4.1 被中性施主俘获的激子47

2.4 GaP的发光跃迁47

2.4.2 被等电子陷阱俘获的激子49

2.4.3 施主-受主对的发光51

2.4.4 含氧晶体的红色发光54

2.4.5 红色发光二极管57

2.4.6 绿色发光二极管59

2.5 非发光跃迁61

2.5.1 俄歇过程62

2.5.2 非发光复合中心63

2.5.3 多声子过程和共振转移64

2.6 发光二极管的效率和特性66

2.6.1 I-V特性和I-L特性67

2.6.2 发光光谱70

2.6.3 发光效率和视觉灵敏度72

2.6.4 外部效率和内部效率78

2.6.5 响应特性和温度特性82

2.6.6 发光二极管的退化84

2.7 新材料86

2.7.1 SiC86

2.7.2 In1-xGaxP和In1-xAlxP87

2.7.3 AlAs89

2.7.4 GaN90

2.8 红外-可见转换荧光体90

2.8.1 荧光体内的光跃迁91

2.8.2 荧光体的特性93

2.9 半导体激光器95

2.9.1 半导体激光器的特性96

2.9.2 双异质结构激光器97

第三章 发光二极管的制作工艺 奥 泰二108

3.1 引言108

3.2 晶体生长工艺109

3.2.1 概述109

3.2.2 单晶生长110

3.3.1 液相外延生长116

3.3 外延生长工艺116

3.3.2 气相外延生长125

3.4 发光二极管芯片的制作工艺131

3.4.1 扩散结型发光二极管131

3.4.2 生长结型发光二极管134

3.4.3 扩散工艺136

3.4.4 电极的形成138

3.5 发光二极管的封装140

3.5.1 光学系统的设计140

3.5.2 发光二极管的组装工艺145

4.1.2 从应用方面看到的发光二极管的特点148

4.1.1 发光二极管和光电子学148

4.1 引言148

第四章 发光二极管的应用 中田 修·中岛尚男148

4.1.3 发光二极管的能见度153

4.2 简单指示光源156

4.2.1 作为简单指示光源的发光二极管的特点156

4.2.2 逻辑电路方面的应用157

4.2.3 电话机方面的应用158

4.2.4 其它应用162

4.3 显示163

4.3.1 概述163

4.3.2 采用发光二极管的数字和文字显示165

4.3.3 发光二极管显示的扫描驱动167

4.3.4 发光二极管数字显示器件的实例169

4.3.5 发光二极管数字显示器件的应用172

4.3.6 图象显示176

4.4 信息处理178

4.5 光通信180

4.5.1 光通信的发展180

4.5.2 作为光纤通信光源的半导体激光器和发光二极管182

4.6 光耦合器和负阻发光器件的应用184

4.6.1 光耦合器184

4.6.2 光耦合器的应用184

4.6.3 负阻发光器件186

结束语189