《微电子学器件 Ｉ 数字器件和工艺》求取 ⇩

目录1

第一章　微电子学的砥柱——集成电路1

1.1　微电子学的发展1

1.2　大规模集成电路技术的现状5

1.3　微电子学今后的发展10

第二章　半导体的电气特性15

2.1　晶格结构与能带结构15

2.2　载流子31

2.3　载流子的产生与复合50

2.4　强电场效应55

2.5　器件分析的基本方程60

第三章　半导体器件62

3.1　半导体-金属接触和pn结62

3.2　双极晶体管76

3.3　MOS场效应晶体管94

3.4　肖特基栅场效应晶体管116

第四章　半导体器件和集成电路的制造技术123

4.1　集成电路制造技术的基本考虑123

4.2　硅单晶124

4.3　晶体缺陷和杂质吸收129

4.4　外延生长132

4.5　硅的氧化与氧化膜的性质142

4.6　化学气相淀积（CVD）法生长薄膜159

4.7 杂质掺杂——扩散和离子注入170

4.8　金属连线185

4.9　光刻工艺192

4.10　图形的刻蚀213

4.11　工艺模拟222

第五章　半导体集成电路的基本结构230

5.1　双极型集成电路的基本结构231

5.2 双极型和MOS型混合的单片集成电路238

5.4 MOS VLSI的基本结构244

5.5 MOS VLSI的应用247

第六章 Ⅲ-Ⅴ族半导体和约瑟夫森集成电路258

6.1 集成电路用的材料——Ⅲ-Ⅴ族半导体和硅258

5.3 MOS型集成电路的基本结构259

6.2 Ⅲ-Ⅴ族半导体的能带结构的设计262

6.3 Ⅲ-Ⅴ族半导体器件267

6.4 Ⅲ-Ⅴ族半导体集成电路276

6.5 约瑟夫森结的物理基础280

6.6 约瑟夫森结电路288

6.7 约瑟夫森集成电路298

参考书301

索引305