《模拟器件电子学》
作者 | 孙彦卿著 编者 |
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出版 | 辽宁大学物理系 |
参考页数 | 98 |
出版时间 | 1987(求助前请核对) 目录预览 |
ISBN号 | 无 — 求助条款 |
PDF编号 | 86398578(仅供预览,未存储实际文件) |
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第七章MOS模拟IC基础1
7.1MOSFET的回顽1
7.1.1饱和MOST的I-V特性1
7.1.2饱和MOST的小信号模型4
7.2单级放大器8
7.2.1电阻负载单级放大器8
7.2.2有源负载单级放大器20
7.3.电流源及编置电路36
7.3.1MOS电流镜36
7.3.2.与温度和电源元关的编置49
7.4差分放大器56
7.4.1差分放大器的电压增益56
7.4.2.源?合对的跨导60
7.4.3半电路的概念和差模、共模增益及其模抑制比65
7.4.4差分放大器中器件失配的影响74
7.5基本的CMOS运算放大器77
7.5.1开路电压增益79
7.5.2DC失调80
7.5.3 CMOS运算放大器的输出电路84
7.5.4 CMOS运算放大器的相位补偿技术88
7.6噪声特性94
7.6.1输入基准1/f噪声95
7.6.2热噪声性能96
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