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上册1

第一章引言1

1.1 粒子同固体相互作用物理学讨论范围1

1.2 各种能量下粒子同固体相互作用的应用2

1.3原子物理的概念和定义4

一 玻尔原子和单位4

二 卢瑟福散射5

三 运动学10

四 原子的激发和电离——非弹性碰撞11

第二章带电粒子在原子为无序分布物质中的运动14

2.1能量损失的定性描述14

一 概念和定义14

二 库仑散射和能量损失19

三 托马斯-费米原子21

2.2核阻止25

一 简单的相互作用势26

二 散射截面28

三 弹性能量损失33

2.3电子阻止和迁移截面36

一 电子气体中的阻止能力36

二 散射势41

三 迁移截面43

四 低速下电子阻止截面46

2.4电子阻止的量子力学处理49

一 玻恩近似计算电子阻止能力50

二 贝特公式的修正60

三 中速区域的电子能量损失68

四 阻止截面的线性相加70

2.5 能量损失的测量方法71

2.6能量离散74

一 电子对能量离散的贡献76

二 核碰撞对能量离散的影响80

三 能量离散的线性相加82

2.7离子穿进物质的电荷状态83

一 电子俘获和损失85

二 平衡电荷态的分布89

三 原子跃迁和固体中电荷平衡94

第三章离子束分析固态材料的组分和结构99

3.1离子背散射谱学100

一 运动学因子和微分散射截面101

二 深度刻度105

三 背散射产额——能谱高度116

3.2各种靶的背散射谱119

一 单元素靶119

二 化合物靶(θ1=0，垂直入射)129

三 混合物的分析138

四 杂质的深度分布142

3.3背散射实验方法和仪器148

一 加速器149

二 能量稳定系统153

三 真空系统154

四 散射束能量分析的电子学系统157

3.4低能离子散射160

一 与“高能”(兆电子伏)离子散射的联系和区别161

二 低能离子在固体表面中性化163

三 组分分析167

四 表面结构171

五 聚合物表面的研究174

3.5中能离子散射183

一 作为低能离子散射的上限184

二 轻离子的背散射186

三 背散射粒子的电荷态193

3.6粒子感生X射线发射(PIXE)195

一 轻离子产生X射线197

二 重离子产生X射线204

三 X射线探测212

四 本底辐射214

五 PIXE定量分析方法218

六 PIXE分析特点及应用226

3.7核反应分析240

一 核反应分析的一般特点240

二 定量分析244

三 分析研究的范围254

四 材料中的氢剖析257

第四章溅射物理267

4.1溅射的一般描述267

一 运动粒子同固体表面的相互作用267

二 溅射的基本概念270

4.2溅射理论275

一 溅射分类275

二 玻耳兹曼迁移方程277

三 线性级联理论的基本特点279

四 线性碰撞级联的溅射283

五 简单级联碰撞理论的修正298

六 透射溅射312

4.3 溅射的钉扎模式313

4.4多组分靶的溅射321

一 初级效应322

二 次级效应——表面组分的变化325

三 固态化合物的溅射327

4.5溅射粒子的电荷状态332

一 基本假定333

二 电离理论334

三 实验验证342

4.6二次离子质谱(SIMS)346

一 二次离子质谱的实验条件346

二 多组分的SIMS分析349

三 金属离子簇溅射356

4.7离子感生辐射和非辐射跃迁365

一 离子中性化谱学365

二 离子感生俄歇电子谱学(IAES)379

三 中性和离子感生辐射分析表面组分(SCANIIR)391

4.8 溅射物理的应用394

附录 向前和向后玻耳兹曼方程的联系395

第五章带电粒子在晶体中的沟道效应399

5.1沟道效应和连续模型399

一 晶格的取向和沟道399

二 轴沟道的连续模型403

三 晶格原子热振动的影响412

四 平面沟道414

5.2沟道的统计平衡理论416

一 统计模型的基本考虑416

二 横能量分布及反应产额418

三 粒子在沟道中通量分布——通量峰效应424

四 计算机模拟和平衡连续模型的局限性434

5.3沟道离子的能量损失439

一 玻姆-派恩斯(Bohm-Pines)模型440

二 空间周期性电子气中的能量损失442

三 芯电子对沟道离子能量损失的贡献448

5.4离子在晶格中的退道453

一 阻止能力与退道率454

二 原子核和热振动原子的散射459

三 电子引起的散射464

四 退道的稳定增加模型469

五 轴向沟道的扩散模型470

六 晶体缺陷引起的退道481

5.5 表面非晶层对沟道的影响486

5.6 平面退道496

附录 扩散方程的数值解501

第六章沟道效应和阻塞效应的应用506

6.1沟道实验的特点506

一 晶体定位——定向谱和随机谱507

二 阻塞效应512

6.2晶格中杂质原子定位515

一 基本原理515

二 晶格对称性和杂质原子位置516

三 “完全”替代的杂质原子517

四 “不完全”替代的情况518

五 间隙原子521

六 内壳层X射线产额的沟道关联528

6.3缺陷分析530

一 点缺陷531

二 晶体覆盖非晶或多晶薄膜533

三 位移原子的随机分布536

四 考虑沟道效应的位移原子分布544

五 位错退道548

六 堆垛层错和孪晶555

6.4表面和界面的研究561

一 离子同表面原子的作用561

二 晶体的表面结构和表面峰568

三 表面重构570

四 表面弛豫573

五 衬底荫蔽：Ag(111)面的外延层Au574

六 阻塞方法确定表面吸附原子的位置576

七 金属-半导体界面的反应578

6.5原子核寿命的确定580

一 阻塞法测量核寿命的原理和方法581

二 质子和中子引起的裂变寿命585

三 重离子感生裂变587

四 基本粒子寿命593

6.6高能沟道效应596

一 实验方法597

二 透射粒子角分布601

三 环形效应——横能量均衡特性606

四 弯曲晶体的沟道效应610

五 可能的应用615

下册621

第七章离子注入及其应用621

7.1注入离子的射程和射程分布理论624

一 射程概念和射程的均方偏差625

二 射程分布的统计理论630

三 投影射程641

四 低速重离子在固体中的射程648

五 注入离子在非晶靶的浓度分布654

六 单晶靶中的射程分布678

7.2辐射增强扩散效应689

一 增强扩散的基本概念689

二 增强扩散的类型694

三 增强扩散机理698

四 多元扩散模型705

五 增强扩散效应的应用713

7.3注入离子在晶格中的位置719

一 半导体中注入离子的位置720

二 缺陷的移动和定位725

7.4 离子注入层的电学性质727

7.5离子注入系统735

一 离子注入机的概念和类型735

二 弱流和中等流强注入机737

三 强流注入机740

四 离子注入设备的物理限制744

五 离子注入机的在线控制753

7.6离子注入器件的应用759

一 平面扩散工艺和离子注入法759

二 全离子注入晶体管的电参量控制766

三 离子注入MOS场效应晶体管773

四 离子注入制备集成电路中的高值电阻777

五 离子注入在硅加工中的发展780

7.7离子注入化合物半导体787

一 离子注入化合物半导体的特点和化学配比787

二 退火保护问题792

三 大规模高速集成电路的制备和离子注入化合物半导体(GaAs)器件797

7.8离子注入对金属的改性800

一 金属中离子注入的特点和物理因素801

二 离子注入表面的力学性质804

三 提高金属表面抗腐蚀能力815

7.9离子注入超导体的研究821

一 超导电性和超导临界温度822

二 离子注入对超导临界温度Tc的影响824

三 注入金属氢化物的超导性和超导体中氢的作用826

7.10离子注入合金的穆斯堡尔研究833

一内转换电子穆斯堡尔测量833

二 磨损改善的机理——N+或c+注入铁835

三 扩散的影响837

四 磨损前后相的变化——锡注入铁838

附录 射程计算机程序841

参考文献855

第八章辐照损伤861

8.1能量淀积和损伤分布861

一 离子注入产生的缺陷862

二 级联碰撞和原子位移870

三 能量淀积的WSS理论876

四 矩方程及其求解881

五 “高能”离子在固体中能量淀积的“直接法”897

六 沟道作用和聚焦作用905

七 损伤及损伤分布913

8.2缺陷的迁移和退火923

一 缺陷迁移速率和聚集923

二 热退火927

三 激光退火935

四 电子束退火946

8.3金属中的辐射损伤950

一 辐射缺陷的产生及其相互作用951

二 金属玻璃辐射损伤的特性962

8.4超精细相互作用和缺陷967

一 超精细相互作用967

二 扰动角关联和穆斯堡尔效应969

三 辐射缺陷的研究975

四 缺陷-反缺陷反应981

五 133Xe注入金属形成空位簇982

8.5辐射对有机物质的作用985

一 聚合物的辐射交联和降解986

二 辐射交联的机理990

三 固态有机材料的辐射损伤995

四 辐照剂量率和温度效应1000

8.6电子自旋共振(ESR)对极低温(4K)下聚合物辐射损伤的研究1003

一 电子自旋共振和基浓度的测量1003

二 辐照对基在空间分布的影响1011

三 氢原子迁移的减弱1014

四 极低温度(4K)下氢原子的反应率1014

8.7重离子轰击固态生物体产生自由基1016

一 室温下自由基的产生1016

二 低温下(77K)自由基的产生1027

三 “热钉扎”模型及其检验1028

8.8正电子湮灭研究辐照损伤1033

一 正电子湮灭的物理基础和实验技术1033

二 捕获模型和金属中的辐照损伤1045

三 电子辐照钼的损伤及退火效应1048

四 辐照聚四氟乙烯的正电子寿命谱的分析1055

附录I 三维碰撞级联1058

附录Ⅱ 矩积分1059

附录Ⅲ 捕获模型1061

参考文献1067

第九章离子束引起原子混合1072

9.1薄膜系统中离子引起的反应1072

一 离子感生反应的特点1073

二 硅化物和金属间化合物1078

三 热退火引起的相互混合1080

四 金属固熔体的形成1083

9.2碰撞混合的理论1089

一 原子位置重排截面1091

二 基体原子重排及多次重排1095

三 各向同性的级联混合1097

四 多次反冲注入1101

五 含有铂标记层硅中的离子束混合1103

9.3离子束混合机理的实验研究1109

一 长程混合和短程混合1109

二 化学效应对混合率的影响1115

三 原子混合率的温度关联1118

9.4界面反应和原子混合的唯象模型1119

一 原子的重排和反应1120

二 扩散控制和反应控制的界面反应1122

三 扩散混合与碰撞混合的统一描述1125

9.5离子束混合的应用1128

一 离子束混合在一些物理过程中的作用1128

二 离子束混合用于材料改性1128

三 离子束混合微合金1130

附录I 方程(9.2-19)和(9.2-20)的推导1131

附录II 级联混合的随机走动模型1133

参考文献1134

第十章沟道辐射1137

10.1带电轻粒子在晶格沟道中运动的特点1137

一 横向运动方程1138

二 相互作用势和束缚态1143

10.2沟道辐射谱学1149

一 轴沟道1149

二 平面沟道1154

10.3 实验安排1162

10.4沟道辐射与其他几种辐射的比较1165

一 相干轫致辐射1165

二 跃迁辐射1167

三 同步辐射1168

10.5 沟道辐射的应用前景1168

参考文献1169