《硅 二氧化硅界面物理》求取 ⇩

第一章半导体表面空间电荷层的基本性质1

1.1 表面空间电荷层及其电场、电荷密度和电容1

1.2 表面空间电荷层的六种基本状态8

1.3 表面过剩载流子浓度、表面电导、沟道电导19

1.4 表面散射和表面迁移率26

1.5 表面量子化效应31

第二章MOS结构的电容-电压特性36

2.1 用近似方法分析理想MOS结构的电容-电压特性37

2.2 实际MOS结构的电容-电压特性44

2.3 不均匀掺杂衬底MOS结构的电容-电压特性55

2.4 禁带中深能级对MOS结构电容-电压特性的影响62

2.5 MOS结构电容-电压特性的几种理论模型67

第三章硅-二氧化硅系统的电荷和陷阱73

3.1 二氧化硅层中的可动离子电荷73

3.3 硅-二氧化硅界面的界面陷阱电荷85

3.4 氧化物陷阱电荷97

3.5 二氧化硅层上的离子97

4.1 硅-二氧化硅界面过渡层的微观结构103

第四章硅-二氧化硅界面的结构、杂质和缺陷103

4.2 硅-二氧化硅界面杂质的性质104

4.3 硅-二氧化硅界面附近的缺陷110

第五章半导体表面电学测量122

5.1 用MOS结构高频电容-电压特性测量界面电荷122

5.2 用MOS结构电容-电压特性确定导电类型，测量硅衬底杂质浓度与杂质浓度分布132

5.4 用离子电流法测量二氧化硅层中的可动离子密度144

5.5 用准静态电容-电压特性测量界面陷阱密度147

5.6 用交流电导法测量界面陷阱密度154

6.1 非平衡pn结的表面空间电荷层与栅控二极管162

第六章硅-二氧化硅界面对半导体器件参数的影响162

6.2 半导体表面对pn结反向电流的影响165

6.3 半导体表面对晶体管参数hFE的影响169

6.4 表面电场对pn结击穿电压的影响和击穿电压蠕变现象173

6.5 半导体表面对MOS器件参数的影响181

附录187

附录一符号表187

附录二 物理常数表192

附录三 硅、二氧化硅的重要性质(27℃)192

附录四 习题193