《微电子器件工艺》

微电子加工环境6

环境污染对成品率的影响6

超净空间环境7

超纯水8

超纯气体及化学试剂8

衬底材料9

IC发展与硅材料的关系9

大直径单晶的制备11

单晶材料中的原生缺陷与有害杂质16

对单晶材料的基本要求及其完美化工艺18

衬底制备20

单晶棒的整形与定向21

晶片加工23

练习与思考27

参考文献27

固态扩散28

固态扩散的基本模式28

粒子流密度29

扩散系数30

硅中常用杂质的扩散系数33

输运方程和低浓度下的杂质浓度分布34

恒定高表面浓度扩散39

载流子浓度与杂质浓度的关系41

硅中高浓度磷扩散43

氧化性气氛对扩散的影响45

扩散的相互作用及横向扩散46

工艺指南与系统48

扩散方法与工艺51

金扩散55

砷化镓中杂质的扩散行为56

砷化镓中的扩散技术58

离子注入掺杂61

注入离子的能量损失机构61

注入深度64

注入离子在非晶靶中的浓度分布68

单晶靶和双层靶中的离子浓度分布72

离子注入设备76

注入工艺78

注入损伤80

退火特性82

合金法85

合金pn结的制作原理85

合金条件的考虑86

练习与思考87

参考文献88

同质硅化学气相外延89

外延的物理化学原理89

生长动力学原理91

反应器中的工作状态95

外延掺杂99

堆垛层错100

原位气相腐蚀抛光102

埋层图形漂移、畸变与塌边103

杂质的固态对流扩散104

自掺杂及外延层中杂质浓度分布107

低压外延109

气相硅外延系统与工艺112

其它外延技术115

选择外延与SOS外延115

砷化镓外延116

分子束外延121

热生长二氧化硅膜122

二氧化硅膜的结构和性质123

热生长氧化膜的制备125

热氧化生长动力学原理126

二氧化硅的扩散掩蔽作用和硅的局部氧化131

氧化层错133

薄膜的化学气相淀积（CVD）135

供微电子器件和工艺用CVD膜135

常压化学气相淀积法138

低压化学气相淀积法142

等离子增强化学气相淀积法144

光化学气相淀积法的基本原理145

介质膜的其它制备方法147

阳极氧化法147

等离子体阳极氧化法149

聚酰亚胺钝化膜149

金属类薄膜的物理气相淀积150

物理气相淀积的基本要素151

物理气相淀积的实施152

练习与思考155

参考文献156

抗蚀剂和掩模材料157

光致抗蚀剂157

电子束抗蚀剂159

X射线抗蚀剂160

掩模材料161

计算机辅助掩模图形发生164

原图数据的产生164

图形的发生166

掩模版图形的形成169

光学制版169

电子束制版172

晶片上抗蚀膜图形的形成174

光学曝光175

电子束曝光176

X射线曝光178

其它曝光方法180

小结183

晶片表面图形的形成184

图形转换184

湿法腐蚀185

干法腐蚀186

砷化镓的腐蚀189

微细图形缺陷分析与控制190

图形缺陷与成品率的关系190

缺陷的种类与危害191

缺陷的产生与控制191

缺陷的检查与修补193

练习与思考194

参考文献195

工艺模拟的基础196

一般介绍196

杂质流输运方程197

模型方程的数值计算方法198

工艺模型198

离子注入模型199

氧化模型200

扩散模型201

外延模型203

腐蚀与淀积模型203

光刻模型205

多晶硅淀积模型207

氮化硅氧化模型208

电学参数208

SUPREM工艺模拟软件简介208

SUPREMⅡ简介208

SUPREMⅢ简介210

微电子测试图形210

测试图形的作用与布局210

几种常见的测试图形211

微电子工艺评价217

工艺评价217

在线监测221

练习与思考225

参考文献225

欧姆接触226

欧姆接触的基本原理226

形成欧姆接触的基本方法227

布线技术227

金属化方法227

布线工艺231

键合233

芯片分割233

键合引线材料234

键合235

封装236

金属封装236

塑料封装237

陶瓷封装238

表面安装技术240

基板材料240

安装元件240

表面安装方法241

练习与思考242

参考文献242

MOS型集成工艺243

CMOS工艺设计243

n-MOS工艺设计247

双极型集成工艺设计249

场介质隔离TTL工艺249

STTL工艺设计251

砷化镓集成电路工艺252

工艺流程设计252

主要工艺参数选取252

练习与思考253

参考文献253