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第Ⅶ篇 固态微波器件1

第一章超导电子元器件 11-1

第Ⅺ篇新颖电子元器件1

§10.1.1概述 10-1

第Ⅹ篇 微处理器、单片机及外围接口电路第一章微处理器 10-1

§9.1.1模拟集成电路的特点 9-1

识 9-1

第一章模拟集成电路的基础知1

第Ⅸ篇模拟集成电路1

第Ⅱ篇半导体分立器件1

第一章基本知识 2-1

§2.1.1国内外半导体分立器件型1

号命名方法 2-1

一、中国半导体器件型号命名法 2-1

第Ⅳ篇光电器件1

第一章隧道二极管 7-1

§11.1.1概述 11-1

目录1

位 6-1

§6.1.1传感器在科学技术中的地1

第一章概论 6-1

第Ⅵ篇敏感元件与传感器1

§5.1.1摄像与显示的意义 5-1

第一章概论 5-1

第Ⅴ篇 摄像与显示器件1

第Ⅲ篇 电力半导体器件与执行器件1

第一章整流管 3-1

§3.1.1整流管的工作原理与特1

性 3-1

一、pn结大注入效应 3-1

一、pn结型光电二极管 4-1

原理 4-1

§4.1.1光电二极管的结构和工作1

第一章光电二极管 4-1

第1篇 元件1

第一章电阻器和电位器 1-1

§1.1.1电阻器概述 1-1

一、电阻器的分类 1-1

§9.1.2模拟集成电路的分类 9-2

二、超导真空晶体管 11-2

一、超导—半导体兼容器件 11-2

§11.1.2超导电子器件 11-2

五、其他模拟集成电路 9-2

四、模—数及数—模转换器集成电路 9-2

电路 9-2

三、通信、广播等设备中的模拟集成2

二、集成稳压器 9-2

一、集成运算放大器 9-2

三、超导微波电路 11-2

二、日本半导体分立器件型号命名法 2-2

一、整流管的基本结构 3-2

一、提高微波功率晶体管高频优值Kpf2

构与隧道效应 7-2

§7.1.1高掺杂半导体的能带结2

二、电阻器的识别 1-2

二、电导调制效应 3-2

三、肖特基整流管的伏安特性 3-2

§3.1.2整流管的基本结构与类2

型 3-2

二、pin结型光电二极管 4-2

§7.1.2隧道二极管的伏—安特3

§5.1.2摄像与显示器件的分类 5-3

性 7-3

§9.1.3模拟集成电路中的基本3

单元电路 9-3

一、恒流源偏置电路 9-3

四、超导—半导体混合电路 11-3

二、整流管的分类 3-3

五、高速约瑟夫逊结加法器 11-3

§10.1.2 8位微处理器 10-3

一、8085A微处理器 10-3

三、雪崩型光电二极管 4-3

四、两种派生器件 4-3

§4.1.2光电二极管的特性和主要4

六、其他超导元件 11-4

分类 6-4

参数 4-4

一、伏安特性 4-4

三、电阻器的主要特性参数 1-4

三、基本特性 8-4

§7.1.3等效电路分析 7-4

三、美国半导体分立器件型号命名法 2-4

§6.1.2传感器与敏感功能材料的4

传感器 11-5

§11.2.1多功能硅集成传感5

器 11-5

一、硅微机械装置和微执行器 11-5

第二章 多功能集成传感器和新颖5

六、光电流IL 4-5

五、暗电流ID 4-5

二、光谱响应特性 4-5

四、最高工作电压Umax 4-5

三、指向特性 4-5

四、国际电子联合会半导体器件型号命名法 2-5

§5.1.3摄像与显示器件的命名5

方法 5-5

能 7-6

二、稳压源电路 9-6

四、噪声容限和负载规则 8-6

§7.1.4隧道二极管的分类及性6

§6.1.4传感器的发展动向 6-6

能要求 6-6

§6.1.3对传感器与敏感材料的性6

二、硅集成真空度传感器 11-6

路 4-7

三、薄膜电阻器 1-7

五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法 2-7

六、苏联半导体器件型号命名法 2-7

二、线绕电阻器 1-7

一、使用光电二极管时应注意的问题 4-7

§4.1.3光电二极管的实际应用电7

八、响应时间τ 4-7

三、集成加速度传感器 11-7

四、集成湿敏振荡器 11-7

§11.2.2新颖传感器 11-7

一、新颖温度传感器 11-7

§1.1.2电阻器 1-7

九、波长范围（光谱响应范围） 4-7

一、实芯碳质电阻器 1-7

七、光电灵敏度S 4-7

二、其他新颖传感器 11-8

§7.1.5典型应用 7-8

二、几种实际应用电路 4-8

三、有源负载电路 9-8

四、电阻器系列 1-9

第三章高低温电子器件 11-9

二、Z80微处理器 10-9

四、电平移位电路 9-9

§6.2.2半导体力敏器件原理 6-9

五、直流参数和开关参数 8-9

§6.2.1概述 6-9

§11.3.1概述 11-9

第二章力学量传感器 6-9

§6.2.3力学量传感器的分类 6-10

§6.2.4应变式传感器 6-10

第二章光电三极管 4-10

§4.2.1光电三极管的结构和工作10

二、光电三极管的三种类型 4-10

五、差分放大电路 9-10

一、结构和工作原理 4-10

§11.3.2低温半导体器件 11-10

一、低温器件的特点 11-10

二、低温微电子器件 11-10

原理 4-10

一、高温高速耐辐射晶体管 11-11

§11.3.3高温半导体器件 11-11

一、分辨率 5-11

§5.2.1摄像器件的参数 5-11

一、概述 8-11

§8.1.2 CMOS电路 8-11

七、制造厂家半导体器件专用型号命名法 2-11

第二章摄像器件 5-11

二、高温高性能的异质结双极晶体11

管 11-11

参数 4-11

§4.2.2光电三极管的特性和主要11

二、电路结构和特点 8-12

第二章雷崩二极管 7-13

一、阻断特性 3-13

§7.2.1崩越二极管 7-13

一、IMPATT二极管的理论基础 7-13

§4.2.3实际应用电路 4-13

§3.2.1普通晶闸管的工作原理与13

六、双差分电路 9-13

特性 3-13

二、惰性 5-13

一、光电三极管使用注意事项 4-13

第二章晶闸管 3-13

第四章智能功率集成电路 11-13

§2.1.2半导体二极管参数符号及13

其意义 2-13

§11.4.1概述 11-13

§11.4.2输出级器件结构 11-13

二、门极特性 3-14

七、双端输出变单端输出电路 9-14

四、动态范围 5-15

三、光电转换特性和灰度 5-15

三、基本特性 8-15

八、输出电路 9-15

二、应用电路 4-15

三、MC 6800微处理器 10-16

三、通态特性 3-16

义 2-16

五、光谱响应 5-16

六、信噪比 5-16

§2.1.3双极型晶体管参数符号意16

§6.2.5硅压力传感器 6-17

§5.2.2光导型摄像管 5-17

一、光导型摄像管的结构和原理 5-17

§11.4.3隔离技术 11-17

九、保护电路 9-17

§10.1.3 16位微处理器 10-17

一、高档微处理器的基本结构 10-17

动电路 11-18

二、电容式硅压力传感器 6-18

一、压阻型硅压力传感器 6-18

二、输出功率和效率 7-18

§11.4.4栅充电泵和电平位移驱18

四、动态特性 3-18

二、摄像管的电子光学系统 5-18

§2.1.4场效应管参数符号意义 2-18

四、噪声容限和负载能力 8-19

§9.2.1集成运算放大器的基本工19

第二章集成运算放大器 9-19

二、8086/8088微处理器 10-19

作原理 9-19

动态 1-20

一、熔断电阻器 1-20

第二章晶体二极管 2-20

§1.1.3新型电阻器和电阻器发展20

一、平衡pn结 2-20

§2.2.1 pn结 2-20

§11.4.5智能化电路 11-20

原理 4-20

§4.3.1硅光电池的结构和工作20

一、双向晶闸管的四种触发方式 3-20

特性 3-20

§3.2.2双向晶闸管的工作原理与20

三、噪声性能 7-20

四、典型结构、材料和设计参数 7-20

第三章光电池 4-20

一、电压—电流特性 4-21

用 11-21

二、敏感电阻器 1-21

§9.2.2集成运算放大器的主要参21

§4.3.2光电池的特性和参数 4-21

数 9-21

五、直流参数和开关特性 8-21

§11.4.6智能功率集成电路的应21

二、双向晶闸管的主要电参数 3-21

三、片状电阻器 1-21

§6.2.6压电式压力传感器 6-22

二、转换效率 4-22

§11.5.1半导体的超晶格和超晶23

第五章微电路及其发展动向 11-23

二、电路结构和特点 8-23

一一、概述 8-23

四、电阻网络 1-23

格结构器件 11-23

§4.3.3光电池在实际中的应用 4-23

四、温度特性 4-23

三、光谱响应特性和响应时间 4-23

五、电阻器的发展动态 1-23

§8.1.3 ECL电路 8-23

五、IMPATT二极管的典型分类及性23

能 7-23

二、非平衡pn结的能带图 2-23

二、超晶格结构器件分类 11-23

三、光电导靶面 5-23

一、半导体超晶格 11-23

三、用JT-1型图示仪测量双向晶闸管的主要电参数 3-23

§3.2.3可关断晶闸管（GTO）的工24

§9.2.3通用型集成运算放大24

六、典型应用 7-24

§2.2.2 pn结特性参数 2-24

一、pn结直流伏—安特性 2-24

§1.1.4电位器概述 1-24

作原理与特性 3-24

四、其他量子器件 11-24

一、电位器的分类 1-24

二、电位器的型号命名 1-24

器 9-24

三、量子阱与量子晶体管 11-24

三、8087与8089微处理器 10-25

器 9-25

一、F702通用I型集成运算放大25

§11.5.2超大规模集成电路及其25

三、电位器的主要特性参数 1-25

一、GTO的导通和关断机理 3-25

§6.2.7压力传感器的应用 6-25

一、最新存储器及其新技术 11-25

新技术 11-25

二、GTO的主要电参数 3-26

四、80286处理器 10-26

三、兆位准静态随机存取存储器 11-26

二、超高速大容量门阵列 11-26

一、TRAPATT器件的理论基础 7-26

§7.2.2俘越二极管 7-26

特性 3-27

§3.2.4逆导晶闸管的工作原理与27

三、GT0的使用注意事项 3-27

二、pn结势垒电容 2-27

一、线绕电位器 1-27

器 9-27

二、F709通用Ⅱ型集成运算放大27

§1.1.5各种电位器 1-27

四、64M DRAM的参数性能比较 11-27

二、合成碳膜电位器 1-27

三、基本特性 8-27

三、有机实芯电位器 1-28

一、逆导晶闸管的结构特点 3-28

五、超高速预分频器 11-28

三、pn结扩散电容和交流特性 2-28

二、逆导晶闸管的特性 3-28

七、人工神经网络器件 11-28

六、高速Bi-CMOS门阵列 11-28

四、金属膜电位器 1-28

五、金属玻璃釉电位器 1-28

二、器件参数设计 7-28

三、F741通用Ⅲ型集成运算放大28

器 9-28

路 3-29

§3.2.5触发器件和触发器集成电29

一、可编程单结晶体管（PUT）的工作原理与基本特性 3-29

六、导电塑料电位器 1-29

七、带开关电位器 1-29

三、逆导晶闸管的主要电参数 3-29

四、pn结的击穿特性 2-29

五、直流参数 8-29

四、噪声容限 8-29

三、TRAPATT二极管振荡器 7-29

§6.3.1压电陶瓷的压电特性 6-29

第三章声学传感器 6-29

第六章其他新颖电子元器件 11-30

§11.6.1光运算集成电路和光电30

单块集成电路 11-30

§11.6.3其他新材料器件 11-30

一、铁电随机存储器 11-30

§11.6.2砷化镓集成电路 11-30

第四章光控晶闸管 4-30

一、小功率光控晶闸管的结构和工作原理 4-30

§4.4.1结构和工作原理 4-30

二、全塑性晶体管 11-31

同产品对照表 9-31

四、通用型集成运算放大器国内外类31

互连接 8-31

§8.1.4各种电路和器件的相31

——转移电子效应 7-31

§7.3.1转移电子器件的物理基础31

第三章转移电子器件 7-31

二、大功率光控晶闸管的结构和工作原理 4-31

三、纸张型集成元件 11-31

八、预调式电位器 1-31

二、双向触发二极管（DIAC）的工作原理与基本特性 3-31

五、pn结的温度特性 2-31

一、光电阴极 5-32

九、直滑式电位器 1-32

十、双连电位器 1-32

三、硅单向开关（SUS）的工作原理与基本特性 3-32

§2.2.3晶体二极管的分类 2-32

一、根据制造工艺和结构分类 2-32

§4.4.2光控晶闸管的特性和参32

数 4-32

电特性 6-32

§6.3.2聚偏氟乙烯（PVF2）的压32

§5.2.3光电发射型摄像管 5-32

§6.3.3压电材料—氧化物—半导体场效应晶体管（POSFET）的结构与原理 6-33

§7.3.2转移电子器件的工作原33

五、MC 68000微处理器 10-33

一、使用中应注意的问题 4-33

§4.4.3光控晶闸管的应用 4-33

四、硅双向开关（SBS）的工作原理与基本特性 3-33

五、交流用硅二极管（SIDAC）的工作原理与基本特性 3-33

理 7-33

十二、电位器系列 1-33

二、根据用途分类 2-33

十一、无触点电位器 1-33

一、空间电荷积累层与不稳定性 7-33

三、畴动力学——大信号理论 7-34

§6.3.4声学传感器的应用 6-34

三、根据半导体材料分类 2-34

§2.2.4硅整流器件 2-34

一、硅整流二极管 2-34

二、应用实例 4-34

五、通用型集成运算放大器国内产品34

二、小信号理论 7-34

主要特性表 9-34

二、超正摄像管 5-34

§10.1.4.32位微处理器 10-35

§8.2.1逻辑门 8-35

六、通用型集成运算放大器国外产品35

三、二次电子导电（SEC）摄像管 5-35

主要特性表 9-35

一、80386微处理器 10-35

第二章门电路 8-35

第五章光敏电阻 4-37

四、增强硅靶管 5-37

及主要引脚功能表 9-37

七、通用型集成运算放大器封装形式37

§7.3.3典型分类及性能 7-37

一、光敏电阻的结构 4-37

理 4-37

§4.5.1光敏电阻的结构和工作原37

三、几种派生器件 4-38

二、光敏电阻的工作原理 4-38

§5.2.4变像管与像增强管 5-39

二、80486微处理器 10-39

第四章温度传感器 6-39

§6.4.1温度传感器的分类 6-39

一、变像管的基本结构和原理 5-39

三、快速恢复硅整流二极管 2-39

二、硅雪崩整流器件 2-39

§6.4.2热敏电阻 6-40

§4.5.2光敏电阻的特性和参数 4-40

一光谱特性 4-40

§9.2.4低功耗集成运算放大40

器 9-40

六、触发器集成电路 3-40

一、F253型低功耗集成运算放大器 9-40

二、光学纤维面板和微通道板 5-40

三、响应特性 4-41

二、照度特性 4-41

§7.3.4典型应用 7-41

三、变像管的种类 5-42

六、光电阻和暗电阻 4-42

五、最高工作电压和允许耗散功率 4-42

四、温度特性 4-42

三、MC 68020微处理器 10-42

二、F013型低功耗集成运算放大器 9-42

一、缓冲器／电平变换器 8-42

§8.2.2缓冲器／驱动器 8-42

§4.5.3光敏电阻的实际应用 4-43

四、整流电路 2-43

三、低功耗集成运算放大器国内外类44

§2.2.5锗检波二极管 2-44

同产品对照表 9-44

一、检波二极管的主要参数 2-44

二、锗检波二极管的参数规范表 2-44

二、应用实例 4-44

一、使用注意事项 4-44

品主要特性表 9-45

主要特性表 9-45

一、SiC薄膜热敏电阻器及温度传感器 6-45

§6.4.3薄膜型热敏电阻器 6-45

五、低功耗集成运算放大器国外产品45

二、三态门 8-45

四、低功耗型集成运算放大器国内产45

§7.4.1耗尽层容—压特性 7-45

第四章变容二极管 7-45

四、像增强器 5-46

主要性能参数 7-46

§7.4.2变容二极管的等效电路及46

§2.2.6稳压二极管 2-46

§10.2.1概述 10-46

第二章单片微型计算机 10-46

§1.1.6电位器发展动态 1-46

一、小型化 1-46

二、片状化 1-46

三、总线缓冲器／驱动器 8-46

五、各类微光摄像管的比较 5-47

第六章发光二极管 4-47

§4.6.1发光二极管的结构和工作47

原理 4-47

一、发光二极管的结构、外形和种类 4-47

三、组合化 1-47

二、镍薄膜温度传感器 6-47

一、稳压二极管的特性参数 2-47

一、热释电红外摄像管 5-47

§5.2.5特种摄像管 5-47

二、稳压管的应用与参数表 2-48

二、发光二极管的发光原理 4-48

一、电容器分类 1-48

§6.4.4有机热敏电阻器 6-48

第二章电容器 1-48

§1.2.1概述 1-48

一、RS锁存触发器 8-49

§8.3.1触发器 8-49

§6.4.5 pn结温度传感器 6-49

第三章触发器、寄存器 8-49

§9.2.5高精度集成运算放大50

二、电容器的识别 1-50

六、低功耗型集成运算放大器封装形50

式及主要引脚功能表 9-50

§4.6.2发光二极管的特性和参50

器 9-50

数 4-50

一、F725型高精度集成运算放大51

器 9-51

二、主要光学参数 4-51

二、单管彩色摄像管 5-51

一、MCS-48系列单片机 10-51

§10.2.2 8位单片微机 10-51

一、主要电学参数 4-51

二、D型触发器 8-51

三、电容器的主要特性参数 1-52

§6.4.6热敏闸流晶体管 6-52

二、XFC-78型高精度集成运算放大53

器 9-53

§6.4.7温度传感器的应用 6-53

二、发光二极管的驱动电路 4-54

一、使用时应注意的事项 4-54

§4.6.3发光二极管的实际应用 4-54

三、热学参数 4-54

一、有机介质电容器 1-55

§1.2.2各种电容器 1-55

§2.2.7开关二极管 2-55

一、开关二极管的反向恢复时间 2-55

三、高精度集成运算放大器国内外类55

同产品对照表 9-55

§6.5.1半导体的霍尔效应 6-55

§6.5.2霍尔元件的电学磁学特55

性 6-55

数 3-55

§3.2.6晶闸管主要产品技术参55

三、JK触发器 8-55

第五章磁传感器 6-55

三、应用实例 4-56

三、聚焦投射扫描（FPS）视像管 5-56

二、电荷贮存效应 2-56

主要特性表 9-57

三、开关二极管的参数规范表 2-57

二、MCS-51系列单片机 10-57

四、高精度集成运算放大器国内产品57

主要特性表 9-58

§6.5.3霍尔元件的温度特性及补58

五、低噪声集成运算放大器国外产品58

偿方法 6-58

二、无机介质电容器 1-58

§7.4.3典型分类及性能 7-58

§7.4.4变容二极管的典型应用 7-58

§5.2.6扫描转换管 5-58

一、参量放大器 7-58

一、硅靶扫描转换管 5-59

§6.5.4霍尔MOSFET 6-59

四、单稳态触发器 8-59

一、光隔离器的结构和组合方式 4-59

第七章光电耦合器 4-59

§4.7.1光电耦合器的结构 4-59

三、电解电容器 1-59

一、双极型硅霍尔集成电路 6-60

§6.5.5霍尔集成电路 6-60

二、稳流管的特性参数 2-60

§2.2.8硅稳流二极管 2-60

一、硅稳流二极管的原理和特性 2-60

二、光传感器的结构 4-60

二、单枪扫描转换管 5-61

主要特性表 9-61

六、低漂移集成运算放大器国外产品61

二、输出参数 4-61

一、输入参数 4-61

§4.7.2光电耦合器的主要参数 4-61

§6.5.6磁阻元件 6-62

二、MOS霍尔集成电路 6-62

三、传输参数 4-62

五、微调电容器 1-62

四、可变电容器 1-62

一、CCD结构和工作原理 5-62

§4.7.3光电耦合器的实际应用 4-62

二、变容管倍频器 7-62

§5.2.7固体摄像器件 5-62

六、电容器系列 1-63

及主要引脚功能表 9-63

七、高精度集成运算放大器封装形式63

§6.5.7磁敏二极管 6-63

二、固体摄像器件的种类 5-64

大器 9-64

大器 9-64

一、5G28型高输入阻抗集成运算放64

§9.2.6高输入阻抗集成运算放64

大器 9-65

二、F3130型高输入阻抗集成运算放65

§7.5.1肖特基势垒物理 7-65

第五章 肖特基二极管 7-65

§6.5.8磁敏晶体管 6-66

三、稳流管的应用 2-66

五、施密特触发器 8-66

三、高输入阻抗集成运算放大器国内67

外类同产品对照表 9-67

§2.2.9单结晶体管 2-67

一、单结晶体管的工作原理 2-67

一、爱因斯坦系数 4-67

§8.3.2寄存器 8-67

§4.8.1激光器的基本原理 4-67

第八章激光器 4-67

等效电路和优值 7-67

§7.5.3肖特基二极管的基本结构、67

性 7-67

§7.5.2肖特基二极管的伏—安特67

二、单结晶体管的主要参数 2-68

一、多位边沿触发D型触发器 8-68

§6.5.9磁敏元件的应用 6-68

三、MC 6801系列单片机 10-68

四、MC 6805系列单片机 10-69

§7.5.4肖特基二极管的分类及性69

二、光的受激辐射放大与粒子数反转 4-69

能 7-69

§7.5.5肖特基二极管的典型应69

一、微波混频器 7-69

用 7-69

产品主要特性表 9-69

第三章显示器件 5-69

§5.3.1显示器件的基本参数 5-69

一、光度学参数 5-69

四、高输入阻抗集成运算放大器国内69

三、单结晶体管的应用 2-69

二、视觉参数 5-70

第六章光传感器 6-70

三、激活介质的增益特性与自激振荡 4-70

五、低偏流集成运算放大器国外产品70

主要特性表 9-70

§10.2.3.16位单片微机 10-70

一、MCS-96系列单片机 10-70

§6.6.1光传感器的种类 6-70

一、外光电效应器件 6-70

二、内光电效应器件 6-70

§6.6.2电真空光敏器件 6-70

一、光电子发射与二次电子发射 6-70

二、锁存器 8-70

二、光电管 6-71

四、可调单结晶体管 2-71

三、工程参数 5-71

四、光学谐振腔 4-71

六、高输入阻抗集成运算放大器封装72

一、黑白显像管 5-72

§5.3.2电子束显示器件 5-72

形式及主要引脚功能表 9-72

三、光电倍增管 6-73

五、单结晶体管和可调单结晶体管参数规范 2-73

五、激光器的工作过程与分类 4-73

§9.2.7高速型集成运算放大74

器 9-74

一、F715型高速集成运算放大器 9-74

§4.8.2气体激光器 4-74

二、彩色显像管 5-74

一、氦—氖激光器 4-74

二、二氧化碳激光器 4-75

第三章低频小功率晶体管 2-75

§2.3.1晶体三极管基础知识 2-75

一、三极管的基本特点、原理结构及符号 2-75

二、晶体管的内部结构 2-75

二、4E321型高速集成运算放大器 9-76

一、晶体管的能带图和电流传输机构 2-77

§2.3.2晶体三极管的工作原理 2-77

举例 3-77

§3.2.7晶闸管的应用特点和应用77

三、示波管 5-77

一、可关断晶闸管的典型应用 3-77

三、寄存器阵 8-78

一、80C 196单片机 10-78

同产品对照表 9-78

三、高速型集成运算放大器国内外类78

二、逆导晶闸管的应用特点和典型应用 3-78

§6.6.3半导体光敏器件（略，参79

三、氩离子激光器 4-79

§10.2.4数字信号处理器 10-79

阅第Ⅳ篇） 6-79

一、DSP芯片基本性能与特点 10-79

§6.6.4红外光探测器（略，参阅79

第Ⅳ篇） 6-79

§6.6.5半导体色敏器件 6-79

四、高速型集成运算放大器国内产品79

主要特性表 9-79

二、晶体管的放大作用 2-79

三、电力半导体器件用散热器 3-79

四、其他气体激光器 4-80

一、一位数据选择器 8-80

§8.4.1数据选择器 8-80

第四章数据选择器、模拟开关 8-80

主要性能表 9-80

二、微波检波器 7-80

五、高速型集成运算放大器国外产品80

三、均匀基区晶体管的电流增益 2-80

器 9-81

§9.2.8高压型集成运算放大81

及主要引脚功能表 9-81

六、高速型集成运算放大器封装形式81

四、缓变基区晶体管的电流增益 2-81

二、TMS 32020 DSP芯片 10-82

一、晶体管的反向电流 2-82

§4.8.3固体激光器 4-82

一、红宝石激光器 4-82

电压 2-82

§2.3.3晶体管的反向电流和击穿82

一、液晶显示 5-82

§5.3.3平板显示器件 5-82

器 9-82

一、F1536型高压集成运算放大82

第六章阶跃恢复二极管 7-83

§6.6.6半导体光照位置传感器 6-83

二、晶体管的击穿电压 2-83

四、其他固体激光器 4-83

§7.6.1阶跃恢复二极管的器件物83

理、结构和参数 7-83

三、TMS 320 C25 DSP芯片 10-83

三、掺钕钇铝石榴石激光器 4-83

二、钕玻璃激光器 4-83

§4.8.4半导体激光器 4-84

器 9-84

二、BG315型高压集成运算放大84

三、高压集成运算放大器国内外类同85

产品对照表 9-85

§2.3.4晶体管的特性曲线 2-85

一、共基极特性曲线 2-85

二、二位数据选择器 8-85

一、半导体激光器的基本结构 4-85

二、半导体激光器的工作机理 4-85

主要特性表 9-86

三、几种典型半导体激光器 4-86

四、高压型集成运算放大器国内产品86

§7.6.3 SRD倍频器 7-87

§7.6.2 SRD的分类及性能 7-87

主要特性表 9-87

五、高压型集成运算放大器国外产品87

二、共发射极特性曲线 2-87

一、SRD倍频器电路 7-87

六、高压型集成运算放大器封装形式88

及主要引脚功能表 9-88

§9.2.9其他集成运算放大器 9-88

一、宽带型集成运算放大器 9-88

§6.6.7光传感器的应用 6-88

§2.3.5晶体管的交流参数 2-89

一、交流电流放大系数 2-89

三、四位数据选择器 8-89

第三章功率晶体管 3-89

§3.3.1功率双极晶体管 3-89

二、跨导型集成运算放大器 9-90

二、晶体管频率特性参数 2-90

四、TMS 320C 30DSP芯片 10-90

二、等离子体显示 5-90

§1.2.3新型电容器和电容器发展91

动态 1-91

一、片状电容器 1-91

§2.3.6晶体管的极限参数 2-91

一、最高允许结温 2-91

三、程控型集成运算放大器 9-91

一、染料的激光机理 4-91

§4.8.5染料激光器 4-91

§6.7.1半导体射线探测器 6-92

二、独石电容器 1-92

二、集电极最大允许耗散功率 2-92

三、集电极最大允许电流 2-92

§2.3.7晶体三极管的参数规范92

表 2-92

第七章射线探测器 6-92

性 4-92

二、染料激光器的结构特征及输出特92

§10.3.2存贮器接口 10-93

一、自由电子激光器 4-93

§4.8.6其他激光器 4-93

三、双电层铝电解电容器 1-93

四、电流型集成运算放大器 9-93

一、程序存贮器 10-93

第三章微型计算机接口电路 10-93

§10.3.1概述 10-93

§8.4.2模拟开关 8-94

三、发光二极管显示 5-94

四、电容器的发展动态 1-94

三、无机液体激光器 4-94

（功率MOSFET） 3-94

§3.3.2功率MOS场效应晶体管94

二、化学激光器 4-94

一、激光在精密测量中的应用 4-94

一、模拟开关 8-94

§4.8.7激光的若干应用简介 4-94

五、其他集成运算放大器国内外类同94

产品对照表 9-94

§1.3.1厚、薄膜混合集成电路中95

二、薄膜元件 1-95

能 3-95

第三章厚、薄膜混合集成电路 1-95

一、厚、薄膜混合集成电路概述 1-95

二、SRD倍频器实例 7-95

一、功率MOSFET的结构和功率性95

的元件 1-95

四、真空荧光显示 5-96

三、激光通信 4-96

二、激光全息 4-96

用 4-97

五、激光在工业生产及其他方面的应97

要特性表 9-97

四、激光在物理学中的应用 4-97

六、其他集成运算放大器国内产品主97

二、多路模拟开关 8-97

五、电致发光显示 5-97

第七章pin二极管 7-98

七、其他集成运算放大器国外产品主98

§7.7.1 pin二极管的特性分析 7-98

要性能表 9-98

二、数据存贮器 10-99

二、功率MOSFET的并联工作 3-99

§2.4.1晶体管的频率特性 2-99

一、高频时晶体管电流放大系数下降的原因 2-99

第四章高频和超高频晶体管 2-99

一、薄膜光波导的结构形式 4-99

§4.9.1薄膜光波导 4-99

第九章光波导器件 4-99

二、均匀基区晶体管的高频Y参数 2-100

三、功率MOSFET的串联工作 3-100

§6.7.2充气电离式射线探测器 6-100

三、存贮器接口电路 10-101

八、其他集成运算放大器封装形式及101

§3.3.3 MOS-双极复合器件 3-101

主要引脚功能表 9-101

三、均匀基区晶体管的等效电路 2-101

二、波导的模式 4-101

§10.3.3并行接口 10-102

一、8255A可编程并行I/O接口 10-102

第五章译码器、编码器 8-102

九、国外集成电路生产厂家检索 9-102

§8.5.1译码器 8-102

参数 3-102

§7.7.2 pin二极管的主要参数及102

设计要点 7-102

一、译码显示电路 8-102

§3.3.4功率晶体管主要产品技术102

§4.9.2波导耦合器 4-102

§7.7.3 pin二极管的分类及典型103

性能 7-103

一、外耦合型波导耦合器 4-103

第三章集成稳压器 9-103

§9.3.1集成稳压器的基本结103

构 9-103

一、闪烁计数管 6-103

一、基准电压 9-103

数规范表 2-103

§2.4.2高频和超高频晶体管参103

应用 2-103

§2.4.3高频和超高频晶体管的103

§6.7.3其他射线探测器 6-103

二、比较放大器 9-104

三、启动电路 9-104

§4.9.3波导调制器 4-104

三、厚膜元件 1-104

二、内耦合型波导耦合器 4-104

二、MC6821外设接口适配器 10-105

二、中子探测器 6-105

一、波导电光调制器 4-105

四、保护电路 9-106

二、波导声光调制器 4-106

§6.7.4射线探测器的应用 6-106

一、分布反馈波导激光器 4-107

二、分布布拉格反射式波导激光器 4-107

数 9-107

§4.9.4波导激光器 4-107

三、其他形式的波导调制器 4-107

§9.3.2集成稳压器的主要参107

三、Z80-PIO控制器 10-107

§9.3.3集成稳压器的分类 9-108

一、掺杂型波导光电探测器 4-108

三、解理面腔式集成激光器 4-108

§4.9.5波导光电探测器 4-108

点 6-109

篇） 6-109

§6.8.3光探测器（略，参阅第Ⅳ109

第Ⅳ篇） 6-109

§6.8.2固态光纤光源（略，参阅109

§6.8.1光纤波导概述 6-109

第八章光纤传感器 6-109

§6.8.4光纤传感器的分类和特109

器 9-109

三、质子轰击型波导光电探测器 4-109

四、8291 A GPIB发送／接收器 10-109

§9.3.4多端可调式集成稳压109

五、混合集成波导光电探测器 4-109

二、外延型波导光电探测器 4-109

§9.3.5三端固定输出电压式集110

四、厚、薄膜混合集成电路的外贴元器件 1-110

三、集成光学频谱分析器 4-110

二、开关网络 4-110

一、波长复用集成光源 4-110

§4.9.6波导器件应用简介 4-110

二、通用译码电路 8-110

§6.8.5传光型光纤传感器 6-110

W7900系列） 9-110

成稳压器（W7800系列110

一、传光型光纤传感器的基本类型 6-110

二、传光型光纤传感器的应用领域 6-110

§7.7.4 pin二极管的典型应用 7-110

一、ppin二极管微波开关 7-110

五、MC 68488通用接口适配器 10-111

四、集成声光卷积器和相关器 4-111

五、其他应用 4-111

§1.3.2 混合集成电路应用举例 1-112

一、混合集成电路在功率放大器中的应用 1-112

第十章红外器件 4-112

§4.10.1红外光源 4-112

一、热辐射型红外光源 4-112

9.3.6三端输出电压可调式集113

六、8243I/O扩展器 10-113

成稳压器 9-113

二、气体放电型红外光源 4-113

§4.10.2红外探测器 4-114

四、二极管红外光源 4-114

三、混合辐射源 4-114

五、红外激光器 4-114

七、8155 RAM/IO扩展器 10-114

二、pin管微波限幅器 7-115

§9.3.7各类集成稳压器特性比115

较 9-115

一、红外探测器的特点和性能参数 4-115

§9.4.1高、中频电路 9-116

三、pin管电调衰减器 7-116

§10.3.4 串行接口 10-116

第四章收录机、音响专用模拟集116

一、8251A通用同步、异步收发器 10-116

成电路 9-116

二、红外热探测器 4-116

二、混合集成电路在功率驱动器中的应用 1-116

一、高、中频电路的发展概况 9-116

二典型电路介绍 9-117

四、pin管微波移相器 7-117

第五章功率晶体管 2-117

§8.5.2编码器 8-117

一、全BCD优先编码器 8-118

§2.6.1晶体管的开关特性 2-118

第六章开关晶体管 2-118

三、红外光电探测器 4-118

一、多模光纤微弯传感器 6-118

§6.8.6光强调制型光纤传感器 6-118

§6.8.7相位调制型光纤传感器 6-119

二、放射线导致色心传感器 6-119

§2.6.2开关晶体管的参数及其规119

范表 2-119

二、二进制优先编码器 8-119

二、MC6850异步通信接口适配器 10-119

二、散射参数 7-120

三、MC 6852同步串行数据适配器 10-120

第八章硅微波双极晶体管 7-120

§7.8.1硅微波低噪声双极晶体120

管 7-120

一、硅微波低噪声双极晶体管等效电路 7-120

四、8273可编程HDLC/SDLC协议控121

制器 10-121

三、国产集成高、中频电路与国外对照 9-121

要性能 9-121

三、混合集成电路在稳压电源中的应用 1-121

第六章移位寄存器 8-121

§8.6.1静态移位寄存器 8-121

一、串入并出移位寄存器 8-121

四、国产集成高、中频放大电路主121

应用举例 3-121

一、功率双极晶体管的应用特点 3-121

二、功率双极晶体管的应用举例 3-121

§3.3.5功率晶体管的应用特点和121

三、特征频率fT 7-121

四、最大可用功率增益MAG 7-122

§2.6.3开关晶体管的应用 2-122

四、混合集成电路在运算放大器中的应用 1-122

四、其他形式的红外探测器 4-122

六、噪声特性 7-122

率fmax 7-122

五、单向功率增益U和最高振荡频122

二、红外摄像管 4-123

一、红外变像管 4-123

五、Z80-SIO控制器 10-123

§4.10.3红外成像器件 4-123

五、国外集成高、中频放大电路主要产品对照 9-123

七、寄生现象 7-123

八、硅微波低噪声晶体管的分类及典型性能 7-123

五、混合集成电路在发光二极管驱动电路中的应用 1-123

一、光纤温度传感器 6-124

§6.8.8偏振调制型光纤传感器 6-124

第七章低噪声晶体管 2-124

§2.7.1晶体管的噪声特性 2-124

二、光纤电压传感器 6-124

§6.8.9光纤传感器的应用与发124

展 6-124

二、串入串出移位寄存器 8-124

六、国外集成高、中频放大电路主124

要性能 9-124

一、晶体管的噪声源 2-124

三、红外电荷耦合成像器件 4-124

一、电磁继电器的工作原理和特性 3-124

性 3-124

§3.4.1继电器的工作原理和特124

第四章继电器 3-124

二、晶体管的噪声系数 2-125

应用 1-125

§4.10.4红外器件应用简介 4-125

一、红外加热 4-125

六、混合集成电路在D/A和A/D中的125

二、红外测温 4-125

二、热敏干簧继电器的工作原理和特性 3-125

三、固态继电器（SSR）的工作原理和特性 3-125

三、并入／串出移位寄存器 8-125

一、开关式解调器的工作原理 9-125

§9.4.2立体声解调电路 9-125

二、低噪声晶体管的结构及其设计特点 2-126

§1.3.3厚、薄膜集成电路的发展126

动态 1-126

一、设计思想的新创新 1-126

一、8253/8254可编程定时器 10-126

§10.3.5定时器电路 10-126

二、线圈式解调器工作原理 9-126

§2.7.3低噪声晶体管的应用 2-126

一、超高频低噪声管的参数指标 2-126

参数规范 2-126

§2.7.2低噪声晶体管结构特点与126

三、红外自动报警和导引 4-126

一、电子设备用继电器型号命名方法 3-127

第九章气敏传感器 6-127

§6.9.1 概述 6-127

四、红外夜视及热成像 4-127

五、红外光谱学 4-127

§3.4.2继电器主要产品技术参127

四、并入／并出移位寄存器 8-127

三、薄膜电路发展动向 1-127

二、厚膜电路发展动向 1-127

数 3-127

四、混合集成电路的技术趋势 1-128

三、Z80-CTC定时器 10-128

二、MC6840可编程定时器 10-128

三、PLL式解调器 9-128

六、红外器件在光通信中的应用 4-128

一、电阻式气敏元件 6-128

§6.9.2半导体气敏传感器 6-128

二、微型直流密封电磁继电器 3-130

九、硅微波低噪声晶体管的典型应用 7-130

第四章电声器件 1-130

一、8257可编程DMA控制器 10-131

§10.3.6输入／输出控制器 10-131

§1.4.1扬声器 1-131

一、概述 1-131

二、8237 A高性能可编程DMA控制132

器 10-132

的理论和途径 7-132

§7.8.2硅微波功率双极晶体管 7-132

五、可编程移位寄存器 8-132

第八章绝缘栅场效应晶体管 2-132

§2.8.1场效应晶体管的分类、特132

点 2-132

四、线圈式解调器与PLL式解调器的132

性能比较 9-132

五、国产集成立体声解调器与国外对132

照 9-132

能 9-133

对照 9-133

七、国外集成立体声解码器主要产品133

三、微波功率晶体管的电流容量 7-133

六、国产集成立体声解码器主要性133

§2.8.2 MOS晶体管工作原理和输133

出特性 2-133

二、微波功率晶体管的功率与频率的理论极限 7-133

三、超小型和小型直流密封电磁继电器 3-133

三、MC 6844 DMA控制器 10-134

四、T系列热过载继电器 3-134

二、各种扬声器 1-134

§8.6.2动态移位寄存器 8-134

四、微波功率晶体管的图形结构 7-134

§9.4.3前置放大电路 9-135

四、Z80-DMA控制器 10-135

五、8259A可编程中断控制器 10-135

一、读写存储器（RAM） 8-135

§8.6.3半导体存储器 8-135

八、国外集成立体声解码器主要性能 9-135

一、录音机前置放大器 9-136

范 2-136

§2.8.3 M0S晶体管的参数及其规136

一、8279可编程键盘显示接口 10-137

§10.3.7键盘与显示器接口 10-137

二、只读存储器（ROM） 8-138

五、K系列中间继电器 3-138

§2.8.4特种场效应晶体管 2-139

§2.8.5 MOS场效应晶体管的应139

用 2-139

六、热敏干簧继电器 3-139

七、固态继电器 3-139

二、通用前置放大器 9-140

三、耳机放大器 9-140

四、适合前置放大器的运算放大器 9-140

二、8275可编程CRT控制器 10-140

第七章计数器 8-141

§8.7.1异步计数器 8-141

一、十进制（BCD）异步计数器 8-141

五、国产集成前置放大器与国内外141

对照 9-141

性 2-142

二、非电阻式气敏传感器 6-142

六、国产集成前置放大器主要性能 9-142

七、国外主要集成前置放大器对照 9-142

§2.9.1结型场效应管的原理和特142

第九章结型场效应晶体管 2-142

三、MC 6845可编程CRT控制器 10-142

二、二进制异步计数器 8-143

范 2-143

§2.9.2 JFET的主要参数及其规143

一、模／数（A/D）转换器 10-143

§10.3.8模拟接口 10-143

六、微波功率晶体管的典型应用 7-144

一、集成功率放大器的概况 9-144

五、微波功率晶体管的分类及性能 7-144

§2.9.3 JFET的典型结构 2-144

§9.4.4功率放大器 9-144

八、国外主要集成前置放大器电参数 9-144

三、可预置数十进制异步计数器 8-144

二、典型产品工作原理 9-145

§6.9.3电解质（电化学式）气敏传145

感器 6-145

一、液体电解质气敏传感器 6-145

一、十进制（BCD）同步计数器 8-145

§8.7.2同步计数器 8-145

四、可预置数二进制异步计数器 8-145

二、数／模（D/A）转换器 10-146

一、结型场效应晶体管使用注意事项及其符号 2-147

二、JFET应用示例 2-147

用 2-147

一、PLD器件功能与分类 10-147

§2.9.4结型场效应晶体管的应147

§10.3.9可编程逻辑器件 10-147

一、扬声器箱的结构类型 1-147

§1.4.2扬声器系统和扬声器箱 1-147

外产品的对照 9-147

三、国产主要集成功率放大器与国147

MESFET 7-148

§7.9.1微波低噪声GaAs148

第九章微波砷化镓场效应晶体管 7-148

二、通用阵列逻辑器件GAL 10-148

二、固体电解质气敏传感器 6-148

一、GaAs MESFET的工作原理 7-148

二、二进制同步计数器 8-149

四、国产功率放大电路主要电参数 9-149

三、可预置可逆计数器 8-149

二、组合扬声器的分频器 1-150

换对照表 9-150

二、中外晶体管置换参考表 2-150

五、国外主要集成功率放大电路互150

第十章晶体管的置换 2-150

一、中外晶体管的置换原则和注意150

事项 2-150

§6.9.4接触燃烧式气敏传感器 6-151

一、微机应用系统结构 10-151

第四章微型计算机系统开发与应用10-151

三、部分中外晶体管型号对照表 2-151

§10.4.1微机应用系统的组成 10-151

§6.9.5热导率变化式气敏传感152

器 6-152

二、微机应用系统实例 10-152

第五章可编程序控制器 3-152

一、GPU 3-152

§3.5.1 PC的硬件及其功能 3-152

二、GaAs MESFET的噪声 7-152

三、GaAsMESFET的微波参数 7-153

§6.9.6红外线吸收式气敏传感153

二、存贮器 3-153

器 6-153

三、I/O模板 3-153

四、编程器 3-153

§3.5.2 PC的软件 3-153

四、微波低噪声GaAs FET的分类及154

§8.7.3纹波计数器 8-154

一、通用的二进制计数／分频器 8-154

典型性能 7-154

一、微机应用系统的开发过程 10-154

§6.9.7压电式气敏传感器 6-154

§10.4.2微机应用系统的开发 10-154

§3.5.3 PC的基本工作原理 3-154

三、扬声器系统概述 1-154

一、KK系列PC 3-155

§6.9.8气敏传感器的应用 6-155

§3.5.4 PC产品简介 3-155

六、国外集成功率放大器主要性能参数9-155

二、可编程计时器 8-156

二、编程、调试与仿真 10-156

四、扬声器系统和组合音箱系列 1-156

§9.4.5单片收音机和录音机集157

二、AGMY-S256 PC 3-157

成电路 9-157

一、单片收音机集成电路 9-157

三、微机开发系统 10-157

三、东芝EX系列PC 3-158

二、单片机的常用开发工具 10-158

§10.4.3单片微机的开发 10-158

一、单片机的软件开发过程 10-158

第十章湿敏传感器 6-159

四、三菱MELSEC F系列PC 3-159

述 6-159

§6.10.1湿度及湿敏传感器概159

§6.10.2 电解质湿敏传感器 6-160

二、单片录音机集成电路 9-160

三、单片机应用系统实例 10-160

一、LiCI湿敏元件 6-160

§8.7.4其他计数器 8-160

一、实时扫描输出计数器 8-160

二、固体高分子电解质湿敏元件 6-162

二、环形计数器／分配器 8-162

路与国外对照表 9-163

三、国产单片收音机和录音机集成电163

五、立石电机（OMRON）PC控制器简介3-163

四、国产单片收音机和录音机集成电163

路主要性能 9-163

六、国外单片收音机和录音机电路主164

§7.9.2微波功率GaAsFET 7-164

二、全加器 8-164

一、异或门 8-164

§8.8.1加法器 8-164

五、国外单片收音机和录音机电路对164

照 9-164

第八章运算器 8-164

一、电阻式湿敏元件 6-164

器 6-164

要参数 7-164

一、功率GaAs FET的伏—安特性及主164

§6.10.3介电高分子湿敏传感164

要性能 9-164

二、电容式湿敏元件 6-165

及其有关参数 7-165

二、功率GaAs FET的大信号等效电路165

§9.4.6特殊功能电路 9-165

一、显示驱动电路 9-165

器 6-166

论和技术关键 7-166

三、提高功率GaAs FET微波性能的理166

§6.10.4金属氧化物湿敏传感166

一、金属氧化物膜湿敏元件 6-166

六、西门子SLMATIC S5-U系列PC 3-167

二、录音机伺服电路 9-167

第六章步进电动机和伺服电动机 3-169

§3.6.1反应式步进电动机的结构169

和工作原理 3-169

§8.8.2算术逻辑单元 8-169

三、自动选曲电路 9-169

二、金属氧化物陶瓷湿敏元件 6-169

一、算术逻辑单元／函数产生器 8-170

工作原理 3-170

§3.6.2永磁式步进电动机的结构和170

四、降噪电路 9-171

§3.6.3永磁感应子式步进电动机171

的结构和工作原理 3-171

§3.6.6步进电动机和伺服电动机172

工作原理 3-172

§3.6.5直流伺服电动机的结构和172

工作原理 3-172

§3.6.4交流伺服电动机的结构和172

的主要产品技术参数 3-172

一、步进电动机 3-172

二、超前进位产生器 8-172

能 7-173

四、功率GaAs FET的分类及典型性173

§1.4.3立体声耳机 1-174

一、概述 1-174

§9.4.7国内外各类收录机所用174

音响集成电路配套 9-174

一、BCD系数乘法器 8-174

§8.8.3乘法器 8-174

二、硅烧结型湿敏元件 6-174

一、锗、硒薄膜湿敏元件 6-174

器 6-174

§6.10.5元素半导体湿敏传感174

器 6-175

二、立体声耳机系列 1-175

§6.10.6热敏电阻式湿敏传感175

二、伺服电动机 3-176

§6.10.8微波吸收式湿敏传感176

§6.10.7红外线吸收式湿敏传感176

器 6-176

器 6-176

二、二进制系数乘法器 8-177

§6.10.9压电式湿敏传感器 6-177

§6.10.10湿敏传感器的应用 6-177

一、异或非门（同或门） 8-178

§8.8.4量值比较器 8-178

二、4位数值比较器 8-179

第十章砷化镓微波单片集成电179

路 7-179

§7.10.1 GaAs MMIC的设计 7-179

一、一般设计考虑 7-179

二、传输模 7-180

三、集总元件的设计原则 7-180

§1.4.4传声器 1-180

一、概述 1-180

第十一章离子传感器 6-181

§6.11.1概述 6-181

§8.8.5奇偶产生器／校验器 8-181

感器 6-182

§6.11.2离子选择电极式离子传182

第五章电视机集成电路 9-183

§9.5.1图像中频通道集成电路 9-183

二、各种传声器 1-183

第九章其他电路 8-184

四、分布参数元件 7-184

一、典型电路工作原理介绍 9-184

§8.9.1时基电路（定时器） 8-184

§6.11.3 ISFET式离子传感器 6-185

一、ISFET的构成原理及应用测定185

电路 6-185

§8.9.2锁相环 8-186

五、平面GaAs肖特基二极管 7-186

六、较低频段的GaAs单片电路技186

术 7-186

二、ISFET的主要类别及典型构造 6-186

三、各种ISFET的特性 6-186

例 7-188

§7.10.2 GaAs微波单片IC实188

四、ISFET的进展 6-188

五、ISFET的应用 6-189

§8.9.3单片频率计数器 8-190

第十二章生物传感器 6-192

§6.12.1概述 6-192

§8.9.4数字钟表电路 8-192

一、酶传感器 6-193

§6.12.2电极式生物传感器 6-193

§1.4.5拾音器 1-194

一、概述 1-194

二、立体声拾音器 1-194

二、国产图像中频集成电路与国内外194

对照表 9-194

三、国产图像中频集成电路主要性能 9-195

四、国外图像中频集成电路主要产品功能 9-195

§8.10.1系列器件按序号排列检196

二、微生物传感器 6-196

索表、图 8-196

三、免疫传感器 6-196

索表 8-196

第十章数字集成电路系列品种检196

一、54/74系列TTL集成电路（按序号）检索表 8-196

三、几种名牌立体声拾音器的特性 1-196

第十一章高电子迁移率晶体管 7-197

五、国外图像中频集成电路主要产197

品的电气性能 9-197

作原理和器件物理 7-197

§7.11.1 HEMT的基本结构、工197

器 6-198

§6.12.3半导体FET式生物传感198

理 9-198

一、典型伴音通道集成电路工作原198

§9.5.2伴音通道集成电路 9-198

§1.4.6磁带 1-200

§6.12.4生物传感器的应用 6-200

一、概述 1-200

表 8-200

二、CMOS集成电路（按序号）检索200

§7.11.2 HEMT的I-V特性 7-201

§7.11.3 HEMT的关键参数及其202

三、ECL集成电路（按序号）检索表 8-202

影响因素 7-202

第十三章传感器系统 6-203

传感器 6-203

§6.13.1概述 6-203

§6.13.2过程工业的测量与控制203

性 7-203

一、54/74系列TTL集成电路（按功能）检索表 8-203

§7.11.4 HEMT的噪声和增益特203

索表 8-203

§8.10.2系列器件按功能排列检203

§7.11.5 HEMT的典型应用实204

例 7-204

§6.13.3安全防灾传感器 6-206

二、国产伴音集成电路与国内外对照表9-206

§ 7.12.1 HBT的基本原理 7-207

二、各种磁带 1-207

第十二章异质结双极晶体管 7-207

三、国产伴音中放集成电路主要电气性能 9-207

四、国外伴音中放集成电路功能特性 9-208

§7.12.2异质结的类型 7-208

表 8-208

二、CMOS集成电路（按功能）检索208

§6.13.4汽车传感器 6-209

五、国外伴音中放集成电路主要产品电气性能 9-209

§ 7.12.3 HBT的设计理论 7-210

§9.5.3行场扫描集成电路 9-210

三、ECL集成电路（按功能）检索表 8-210

三、磁带系列 1-210

§8.10.3系列器件功能表 8-211

一、54/74系列TTL集成电路（按序号）功能表 8-211

一、典型行场扫描集成电路工作原211

理 9-211

§6.13.5家用电器传感器 6-212

传声器 1-224

二、国产行场扫描集成电路与国内224

外对照表 9-224

§1.4.7磁头 1-224

一、概述 1-224

§1.5.3传声器的发展动态和新型224

气性能 9-225

三、国产行场扫描集成电路主要电225

四、国外行场扫描集成电路功能特性 9-226

五、国外行场扫描集成电路主要产227

二、各种磁头 1-227

品电气性能 9-227

§9.5.4彩色解码集成电路 9-228

二、CMOS集成电路功能表 8-230

三、录音机磁头系列 1-230

一、典型彩色解码集成电路介绍 9-231

三、ECL集成电路（按序号）功能表 8-235

发展动态 1-242

§1.5.1扬声器的发展动态 1-242

第五章新型电声器件和电声器件的242

一、54/74系列TTL集成电路引出线244

排列图 8-244

§8.10.4系列器件引出线功能端244

功能端排列图（按序号） 8-244

§1.5.2耳机发展动态 1-244

§1.5.4声频技术发展动态 1-247

§1.5.5电视唱片和CD（激光）唱249

片 1-249

一、电视唱片 I-249

二、CD（激光）唱片 1-252

§1.5.6录像磁带 1-255

一、录像磁带的种类和应用 1-255

二、录像磁带的结构和特性 1-255

三、录像磁带的使用 1-256

二、国产彩色解码集成电路与国内外257

对照表 9-257

三、国产彩色解码集成电路主要电258

气性能 9-258

四、各种录像磁带系列 1-258

图（按序号） 8-260

二、CMOS集成电路引出线功能端排列260

要功能 9-260

四、国外彩色解调系统集成电路主260

五、国外彩色解调集成电路互换表 9-262

…、节目预选用集成电路 9-264

§9.5.5节目预选、稳压及其他264

集成电路 9-264

二、视频磁头组件 1-265

图（按序号） 8-265

三、ECL集成电路引出线功能端排列265

§1.5.7录像机磁头 1-265

一、录像磁头的特点 1-265

二、稳压电源集成电路 9-267

第六章电感线圈和变压器 1-269

§1.6.1电感线圈 1-269

一、概述 1-269

三、国内外主要电子选台和稳压电269

源产品 9-269

集成电路配套 9-270

§9.5.6国产、进口黑白、彩电270

二、常用线圈 1-271

三、线圈电感量的计算 1-275

一、概述 1-276

§1.6.2变压器 1-276

第六章录放像机、摄像机集成电277

§9.6.1录放像机视频记录系统 9-277

路 9-277

一、CX867自动增益（AGC）控制电277

路 9-277

二、CX 868钳位电路 9-278

三、CX 864频率调制器 9-278

四、CX 869自动色度控制（ACC）电路 9-279

二、电源变压器 1-279

五、CX 882色度降频电路 9-280

六、CX 862记录放大电路 9-280

§9.6.2录放像机视频重放系281

三、音频变压器 1-281

统 9-281

一、CX862 CX 134A磁头预放器 9-282

二、CX864失落补偿器和解调器 9-282

四、中频变压器 1-283

三、CX 135解调和去加重电路 9-283

四、CX 868杂波消除电路 9-284

五、脉冰变压器 1-285

五、CX869、CX 984重放自动色度285

控制（ACC）电路 9-285

§9.6.3录放像机的机械控制系统、286

伺服系统用集成电路 9-286

一、MN 15342微处理器集成电路 9-287

二、AN 6914键控脉冲整形，湿露检知集成电路 9-289

一、线圈和变压器的发展动态 1-289

及其新型元件 1-289

§1.6.3线圈、变压器的发展动态289

成电路 9-290

三、BA 6209装带和上带电机驱动集290

成电路 9-291

形、转速及误差电压增益控制集291

四、AN6359 N主导轴伺服分频、整291

二、片状电感线圈 1-291

三、陶瓷滤波器 1-292

五、MN 6168主导轴伺服鉴相、相位比较、速度误差比较、CTL脉冲产生集成电路 9-292

四、声表面波滤波器（SAW） 1-293

六、AN 6356伺服系统记录／重放CTL输出、重放跟踪调整、磁头场脉冲产生集成电路 9-293

七、AN 3822主导轴电机驱动及伺服… 控制集成电路 9-294

八、AN 6387鼓电机驱动及伺服控制、鼓FG信号、鼓PG信号产生集成电路 9-295

§1.6.4线圈和变压器系歹 1-295

九、μPC 358C主导轴FG信号放大296

集成电路 9-296

成电路 9-297

十、BA 6309模拟场同步信号产生集297

§9.6.4录放像机中其他集成电298

路 9-298

一、TA 7355P音频磁头重放／记录通298

道切换集成电路 9-298

二、μPC 1514音频记录／重放通道299

集成电路 9-299

五、摄像机前置放大电路 9-300

三、BA 7004视频测试信号产生集成300

电路 9-300

四、μPC1507C、TA 7673P射频调300

制集成电路 9-300

五、MN 1450 BVFZ工作状态显示控301

制集成电路 9-301

六、MN 1451 BVK时间显示控制、303

定时记录控制集成电路 9-303

§9.6.5摄像机用集成电路 9-304

一、摄像机预放器 9-305

二、视频信号处理 9-306

三、摄像机用彩色编码器 9-307

四、摄像机用双平衡调制器 9-308

§9.6.6国内外常用录放像机和310

摄像机集成电路 9-310

四、电吸收波导光电探测器4109