《高科技之材料检测》求取 ⇩

第一篇非破坏性的评价1

第一章概论3

问题6

第二章断裂力学7

2.1断裂机理8

2.1-1 韧性断裂9

2.1-2解理断裂10

2.2线弹性断裂力学（LEFM）12

2.2-1裂纹尖端的特性12

2.2-2断裂坚韧性K1c17

2.2-3 S-N曲线25

2.2-4 裂纹成长率32

2.2-5 R曲线52

2.2-6实际应用57

2.3弹塑性断裂力学（EPFM）浅涉——COD和J积分67

2.3-1裂纹开张位移—COD68

2.3-2 J积分71

问题75

第三章超声检测79

3.1 声波的种类80

3.2声阻抗和声速83

3.3干涉、驻波和衍射87

3.4 正入射的反射和透射88

3.5斜入射的反射和透射92

3.6超声衰减98

3.7超声波的产生和性质101

3.8耦合媒质105

3.9超声检测种类106

3.9-1共振检测107

3.9-2 强度方法110

3.9-3脉冲回声技术111

3.9-4 超声显微术114

3.9-5表面波检测122

3.10 样品条件和弯曲表面124

3.11超声检测的优缺点125

问题126

第四章声发射技术127

4.1 声发射意义和性质128

4.2信号测量及读出参数130

4.2-1信号种类131

4.2-2信号计数132

4.2-3读出参数134

4.3仪器设备139

4.4本底噪音141

4.5塑性变形过程的声发射143

4.6声发射技术的应用145

问题146

第五章射线照相术147

5.1 x射线源及一般概念150

5.2成像的一般准则156

5.3图像录存方法158

5.3-1软片158

5.3-2射线照相纸159

5.3-3乾法射线照相159

5.3-4 萤光检查160

5.3-5辐射计量161

5.4 软片性质及冲洗事项163

5.5增光屏166

5.5-1金属屏166

5.5-2萤光增光屏167

5.5-3萤光金属屏168

5.6层析x射线照相168

5.7透光计及图像分析169

5.8r射线照相术171

5.9中子射线照相术173

5.9-1中子源及准直175

5.9-2检测（成像）系统178

问题180

第六章磁测法183

6.1样品材料磁化186

6.2磁化电流的种类188

6.2-1直流电189

6.2-2交流电190

6.3磁化装置190

6.3-1磁轭194

6.3-2线圈195

6.3-3中心导体196

6.3-4 直接接触法197

6.3-5尖头接触197

6.3-6感应电流199

6.4 磁滞后现象202

6.5磁粒子及悬浮液体203

6.5-1粒子的磁性204

6.5-2粒子大小和形状的影响204

6.5-3乾粒子205

6.5-4 湿粒子205

6.5-5悬浮液体206

6.6检测注意事项207

6.7材料验后去磁208

6.7-1去磁原理209

6.7-2交和直流电的去磁210

6.7-3振荡电路去磁211

6.7-4 磁轭去磁211

6.7-5去磁注意事项212

问题212

第七章液渗质检测213

7.1 物理原理214

7.2检验基本步骤216

7.3渗质系统218

7.4 液渗质的选用221

7.5乳化剂222

7.6显示剂224

7.6-1乾显示剂224

7.6-2湿显示剂225

7.6-3显示剂的选用226

7.7检验设施及流程图227

7.8检验注意事项229

问题232

参考文献233

第二篇俄歇电子能谱239

第一章概论241

问题245

第二章俄歇电子的特性247

2.1 俄歇过程249

2.2俄歇电子能量250

2.3俄歇强度252

2.4标识俄歇峰组254

2.5基体效应〈化学效应〉258

2.6等离激元特性259

2.7 Coster-kronig转换262

2.8逃离深度262

问题264

第三章实验及仪器设备265

3.1超高真空系统（UHV）265

3.1-1 超高真空体的材料268

3.1-2真空泵269

3.2样品准备及处理271

3.2-1分光计外的样品准备274

3.2-2真空内的样品处理276

3.3电子能量分析器278

3.3-1磁性分析器281

3.3-2静电分析器282

3.4离子溅射292

3.4-1 离子源293

3.4-2溅射产额298

3.4-3溅射对表面的影响301

3.5扫描俄歇电子显微镜（SAM）302

3.6高分辨俄歇电子能谱304

3.7操作实践306

3.7-1样品规格和处理306

3.7-2实验有关序列307

3.7-3调准和定标问题308

3.7-4实验瑕疵310

问题310

第四章定性分析313

4.1 指纹式能谱314

4.2分析多元样品的问题314

4.3化学结合的影响316

4.4 SAM定性分析317

问题318

第五章定量分析321

5.1俄歇峰对峰高度〈APPH或PPH〉321

5.2第一近似准则323

5.3相对元素灵敏因子326

5.4标准样品法329

5.5二元系统331

5.6检测极限332

5.7误差源333

5.7-1绝缘样品的充电现象333

5.7-2原电子束诱出的膺品334

5.7-3离子束引发的膺品335

问题336

第六章应用337

6.1 表面偏析与扩散337

6.2表面反应作用340

6.3冶金及材料科学342

6.3-1机械性质342

6.3-2腐蚀和氧化344

6.3-3附著、摩擦和磨损351

6.3-4 晶界现象352

6.4 催化〈触媒〉355

6.5电子材料358

6.5-1失效分析359

6.5-2制造程序评价360

6.5-3介电薄膜362

6.5-4 金属薄膜363

问题364

参考文献365

第三篇电子探针微量分析371

第一章引言373

问题376

第二章电子光学377

2.1电子探针仪器种类377

2.1-1 电子探针微分析仪（EPMA）378

2.1-2配有x射线检波器的扫描电镜379

2.1-3配有x射线检波器的扫描透射电镜380

2.1-4电镜微分析仪（EMMA）381

2.1-5配有x射线检波器的透射电镜382

2.-16不同电子探针仪器的功能比较383

2.2电子枪384

2.2-1钨丝阴极386

2.2-2 LaB6阴极389

2.2-3场发射电子枪389

2.3电子透镜390

2.3-1电子源的去倍数392

2.3-2扫描线圈394

2.4电子光学像差395

2.4-1 球像差395

2.4-2像散现象396

2.4-3色像差397

2.5探针直径和探针电流398

问题400

第三章电子束与样品的相互作用403

3.1反向散射电子、次级电子和样品电流405

3.1-1反向散射电子406

3.1-2次级电子407

3.1-3样品电流407

3.2阴极射线致发光408

3.3x射线409

3.3-1 连续辐射410

3.3-2标识辐射411

3.3-3电离及萤光产额415

3.3-4 萤光效应（x射线萤光）416

3.3-5吸收现象416

3.3-6空间分辨417

问题419

第四章探测器421

4.1电子探测器421

4.1-1 闪烁器-光电倍增管的检测系统422

4.1-2闪烁器反向散射电子探测器423

4.1-3固态电子探测器425

4.1-4 样品电流检测426

4.2x射线检波器427

4.2-1 波谱分光计（WDS）427

4.2-2气流式正比计数器（GFPC）433

4.2-3能谱探测器（EDS）433

4.3x射线检波器的比较436

4.3-1 分辨436

4.3-2灵敏度438

4.3-3操作性能439

问题441

第五章样品准备与定性分析443

5.1 薄膜样品444

5.2镶在衬底〈基片，substrate〉上的样品445

5.3厚样品准备（x射线分析用）445

5.4标准样品的准备（x射线分析用）447

5.5不良导体的样品处理448

5.6断裂表面450

5.7x射线定性分析451

5.7-1EDS系统453

5.7-2 WDS系统455

5.8x射线扫描图像459

5.8-1面（区域）扫描459

5.8-2线扫描460

问题460

第六章X射线定量分析461

6.1 本底校正462

6.2ZAF方法465

6.2-1 原子序数因子Fz466

6.2-2吸收校正因子FA470

6.2-3萤光校正因子Ff473

6.2-4ZAF方法总结485

6.3经验公式或a-因子技术488

6.4薄膜和薄箔的成份分析489

6.4-1 连续辐射方法490

6.4-2比值方法491

问题500

第七章ZAF范例及电子探针的应用517

7.1ZAF校正实例518

7.1-1 反向散射校正因子Fb518

7.1-2阻止本领校正因子Fs518

7.1-3吸收校正因子Fa519

7.1-4 萤光校正因子Ff520

7.1-5 ZAF基体校正总因子524

7.2微量分析的应用524

7.2-1相图研究525

7.2-2金相结构分析526

7.2-3凝固及成长动力学526

7.2-4 氧化和腐蚀527

7.2-5扩散分析527

问题529

参考文献531

附录1电子结合能537

附录2化学元素表541

英中对照549

中英对照559