《半导体的受激光发射》
| 作者 | 谢希德，阮刚编 编者 |
|---|---|
| 出版 | 上海市科学技术编译馆 |
| 参考页数 | 86 |
| 出版时间 | 1964（求助前请核对） 目录预览 |
| ISBN号 | 62·231 — 求助条款 |
| PDF编号 | 82081888（仅供预览，未存储实际文件） |
| 求助格式 | 扫描PDF（若分多册发行，每次仅能受理1册） |
目 录63
30．砷化镓二极管受激光发射器 岡田纯电一等63
31．砷化镓半导体受激光发射器 成田信一郎68
32．Ga(As1-xPx)结相干（可见）光发射 N.Holonyak,Jr．等74
33．InAs二极管中的受激发射作用 I.Melngailis75
34．InP受激光发射 K.Weiser等77
35．磁调制连续InAs二极管受激发射器 I.Melngailis等78
36．InP受激光发射器的一些性质 G.Burns等80
37．(In3Ga1-x)As半导体二极管受激发射器 I.Melngailis等81
1964《半导体的受激光发射》由于是年代较久的资料都绝版了，几乎不可能购买到实物。如果大家为了学习确实需要，可向博主求助其电子版PDF文件（由谢希德，阮刚编 1964 上海市科学技术编译馆 出版的版本） 。对合法合规的求助，我会当即受理并将下载地址发送给你。
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