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目录1

—、半导体发光器件综述1

二、发光材料与工艺15

（一）注入型场致发光的材料与工艺15

1．SiAs材料15

2．GaN材料—GaN的物理性质及其晶体生长法16

3．GaP材料31

（1）制备红色发光二极管用的GaP材料晶体生长32

（2）制备绿色发光二极管用的GaP材料液相外延生长法39

（3）GaP的切克劳斯基生长法44

（4）GaP的新制法——SSD法55

4．InP材料——用液封法生长的InP单晶的制备和电学性质66

5．GaAs1-XPX材料75

（1）GaAs1-XPX材料及其工艺简述75

（2）GaAs1-χPχ晶体生长89

6．以Ⅲ—Ⅴ族为中心的化合物半导体的进展98

（二）本征型场致发光的材料与工艺107

1．GaAs材料107

（1）用液相包封技术制备无位错GaAs单晶107

（2）高纯GaAs气相外延的一种新方法113

（3）GaAs中的锡扩散123

（4）GaAs抛光技术的改进137

2．关于Yb3+、Er3+掺杂的氟化物红外激发的可见光发光机理140

3．场致发光的结构——关于原料问题149

4．ZnS的直流场致发光154

5．ZnO磷光体系统的场致发光179

6．制备黄色场致发光粉的新方法186

7．一种新的低压场致发光层的制备方法190

8．场致发光层的电泳涂敷工艺193

1．显示用的液晶材料199

（三）液晶材料与工艺199

2．液晶显示屏的制作工艺205

（四）新技术、新工艺液相外延新工艺214

三、器件的制作与应用223

（一）发光二极管的一般介绍223

1．发光二极管的设计223

2．GaN发光二极管251

3．ZnSe黄色发光二极管261

4．GaP发光二极管268

5．GaP发光器件的可靠性284

6．GaP数字显示装置（反射型）294

7．磷光体——二极管组合的固体灯312

8．Ⅱ—Ⅵ族异质结的场致发光318

9．液相外延生长的ZnSe—ZnTe异质结的绿色场致发光334

1．发光二极管的制备339

（二）发光二极管的制作339

2．发光二极管制备技术342

（三）液晶显示器制作液晶显示器件357

（四）应用367

1．GaP多位数字显示装置367

2．数字式固态显示器377

3．固体发光文字显示器件386

四、附录407

（一）各种显示方式的特性比较表407

（二）主要的光电转换元件材料及性质409

（三）国际上几种不同材料的发光二极管典型性能比较411

（四）各种显示器件的特性比较412

（五）日产发光二极管、数码管特性一览表414

（六）国产半导体型号命名法450

（七）四机部四所关于“国产半导体型号命名法”的修改稿452