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目录1

第一章 固体成像器件的物理基础1

§1-1 载流子浓度的统计分布1

§1-2 导带电子和价带空穴的浓度3

§1-3 本征半导体的载流子浓度的统计分布4

§1-4 杂质半导体的载流子浓度的统计分布6

§1-5 载流子的简并化10

§1-6 载流子在半导体中的输运现象12

§1-7 复合理论13

§1-8 载流子在电场中的运动方程20

§2-1 导论24

第二章 成像探测器概论24

§2-2 成像探测器的类型25

§2-3 成像探测器的工作条件29

§2-4 成像探测器的性能参数31

§2-5 成像探测器性能参数的测量35

§2-6 常用成像探测器性能参数和光谱响应曲线38

第三章 成像探测器的理论基础41

§3-1 导言41

§3-2 成像探测器的基本方程41

§3-3 本征光电导探测器理论45

§3-4 杂质（非本征）光电导探测器理论51

§3-5 光伏探测器理论56

§3-6 窄带自滤探测器67

§3-7 SPRITE探测器（扫积型探测器）理论分析70

§3-8 肖特基势垒探测器79

第四章 成像探测器的噪声分析81

§4-1 导言81

§4-2 成像探测器的噪声81

§4-3 热噪声82

§4-4 散粒噪声83

§4-5 产生-复合噪声（G-R噪声）85

§4-6 1/f噪声87

§4-7 温度噪声88

§4-8 介质损耗噪声90

§5-1 热敏电阻探测器理论分析93

第五章 理想热探测器的特性分析93

§5-2 温差电堆及其他各类热探测器96

§5-3 测辐射热计97

§5-4 热释电探测器特性分析98

§5-5 实例——TGS探测器105

§5-6 热释电探测器的现状和展望109

第六章 理想光子探测器与实际探测器的性能分析110

§6-1 引言110

§6-2 光电子事件的随机分布110

§6-3 信号噪声限制探测器性能111

§6-4 背景噪声限制探测器性能112

§6-5 不同噪声限制探测器性能114

§6-6 理想热探测器性能极限119

§7-1 红外测温技术125

第七章 成像探测器的应用125

§7-2 红外无损探伤126

§7-3 红外跟踪系统127

§7-4 红外搜索系统128

§7-5 热成像系统性能分析129

§7-6 红外成像制导技术148

第八章 成像系统信号的检测150

§8-1 涅曼-皮尔顿（Neyman-Pearson）准则150

§8-2 噪声统计特性150

§8-3 虚警时间152

§8-4 跟踪概率154

§8-5 红外跟踪系统的信噪比156

第九章 电荷耦合器件的理论分析157

§9-1 导言157

§9-2 CCD工作的理论基础157

§9-3 MOS结构电容163

§9-4 功函数对MOS结构C-V特性的影响166

§9-5 氧化层中电荷对MOS结构C-V特性的影响167

§9-6 CCD电荷的存贮与转移168

§9-7 CCD表面势的计算171

§9-8 信号电荷的注入原理174

§9-9 输出信号电荷的检测原理175

第十章 CCD像敏器的物理性能176

§10-1 CCD的开启电压VT176

§10-3 转移效率的理论分析177

§10-2 电荷负载量177

§10-4 CCD的工作频率183

§10-5 CCD噪声的理论分析184

§10-6 暗电流189

§10-7 单元尺寸和功率耗散190

第十一章 电荷耦合器件的设计与结构192

§11-1 表面CCD的设计方程192

§11-2 埋沟CCD的设计方程196

§11-3 自由电荷转移的分析197

§11-4 界面态俘获的定量计算199

§11-5 转移损失率的分析200

§11-7 功率耗散对器件的影响203

§11-6 暗电流对器件的影响203

§11-8 时钟脉冲的综合选择205

§11-9 CCD的结构205

第十二章 固体摄像系统特性分析209

§12-1 固体摄像系统的基本原理209

§12-2 光学系统209

§12-3 CCD摄像生能的分析210

§12-4 调制传递函数MTF212

§12-5 面阵CCD（CCAID）的结构及工作原理214

§12-6 面阵CCD工作波形的分析215

§12-7 驱动电路的设计216

§12-8 增强型电荷耦合器件220

§12-9 红外电荷耦合器件（IR-CCD）221

§12-10 红外光电智能器件224