《MOS场效应器件的特性与工作》求取 ⇩

译者按语1

第一章 绪论3

第二章 场效应的物理基础8

2.1 半导体中的电阻率和电流8

2.1.1 半导体的漂移电流8

2.1.2 半导体的扩散电流12

2.2 沟道中有效迁移率随栅压而变化的情况12

2.3 电磁理论和电场效应15

2.4 费密（Fermi）统计16

2.5 半导体表面和反型层的形成19

第三章 MOS场效应晶体管工作的理论24

第四章 MOS场效应晶体管工作的三种状态36

4.1 MOS特性划分为三个区36

4.2 夹断之前可调电阻区导电的情况36

4.3 夹断之后的饱和电流41

4.4 饱和之外雪崩击穿区的导电情况46

4.5 MOS结构中的隧道？发射击穿52

第五章 MOS工艺的状况54

5.1 齐纳二极管保护栅极绝缘层54

5.2 MOS器件工作的不稳定性55

5.3 MOSFET的制作与工艺60

5.4 MOS晶体管的几何图形64

5.5 结型场效应晶体管66

5.6 薄膜场效应晶体管68

第六章 MOS场效应晶体管电学特性，电参数及其应用69

6.1 MOSFET应用的广泛性69

6.2 MOSFET结构的等效电路70

6.3 用MOSFET作射频放大72

6.4 MOS斩波器78

6.5 MOS可调衰减器电路30

6.6 MOSFET作为限流元件80

6.7 MOSFET用作线性“电压-可调”电阻81

第七章 MOS晶体管在数字方面的应用83

7.1 MOSFET逻辑电路和数字阵列83

7.2 共栅-漏电路83

7.3 P-沟道逻辑86

7.4 P-沟道倒相器87

7.5 P-沟道MOS触发器87

7.6 P-沟道MOS“与门”88

7.7 P-沟道MOS“或门”89

7.8 复杂的集成MOS阵列90

7.9 互补MOS逻辑90

7.10 MOS互补倒相器93

7.11 MOS互补触发器94

7.12 互补MOS“与非门”94

7.13 互补的MOS“或非门”95

附录1 阈值电压的定义96

附录2 符号与标志说明97

附录3 常数表99

参考文献100