《研究工作报告 1985-1986 第5卷》求取 ⇩

半导体材料研究室1

掺Ga或掺Sb的InP单晶中光荧光，光吸收和电子自旋共振谱的分析 叶式中杨保华 刘巽琅 焦景华1

用固熔强化模型计算InP中等价电子杂质对位错的钉扎力 叶式中 杨保华4

InP中掺入Ga或Sb对晶体完整性的影响 叶式中 杨保华 刘巽琅 焦景华 赵健群 曹惠梅 孙文荣6

用离子自注入改善蓝宝石上硅膜晶体质量 范仁永 郁元桓 褚一鸣 殷士端 林兰英9

用LEC法生长低位错无位错掺Si的GaAs单晶 叶式中 何宏家 刘巽琅 曹福年 焦景华 惠峰12

掺铟低位错半绝缘砷化镓 林兰英 叶式中 何宏家 曹福年14

InP衬底取向及表面热解程度对LPE—InP处延层性能的影响 张韵琴 唐代维16

接力石墨滑动舟LPE系统 彭少近 卢文宏19

陶瓷板结构三极半导体致冷器 彭少近 陈廷杰 阮秀仓19

硅中金施主和受主光电性质的系统研究 王占国21

硅中锰施主能级Mni0/+的光学性质研究 王占国21

直拉硅单晶中的Ⅲ型微缺陷 林兰英 钱家骏22

用光致发光法研究LEC-GaAs热退火产生的缺陷 林兰英 陈廷杰 吴灵犀 王占国 方兆强 何宏家 万寿科 张泽华26

双光束光电容(光电流)测试系统的研制 万寿科26

掺氮区熔硅研究 梁骏吾 邓礼生 栾洪发 郑红军29

直拉硅单晶中的杂质条纹 黄大定 梁骏吾 汪光川 张金福30

Ⅲ—V族化合物中Ⅳ族元素占位比和分配系数的计算 杨辉 梁骏吾30

Ge在LPE—GaAs中的行为 杨辉 梁骏吾32

InP衬底上LPE—GaInAsSb的生长及性质 龚秀英 K．S．Lochner P．Zwlcknagl E．Bauser33

液相外延空白区现象的观察 周伯骏34

新电路新器件研究室36

连续逻辑为电子线路与系统提供的新手段 王守觉36

DYL 12×12位超高速乘法器 王守觉石寅 朱荣华 赵泉沐 侯静媛 曹秀兰 李大虹37

连续信号直接处理实现离散傅立叶变换 王守觉 王玉富39

确定零点失调DYL电子模拟开关D/A转换器 王守觉 石寅40

高阻P型硅热氧化后电阻率异常增高原因的探讨 孙安纳 刘训春 杨丽卿42

一种新型砷化镓霍尔器件汽车点火器 景士平 赵书兰44

超薄层生长研究实验室47

GaAs掺杂超晶格的制备及性能的研究 梁基本江德生 孙殿照 陈宗圭 黄运衡 孔梅影47

分子束外延高质量GaAs—AlGaAs量子阱结构 梁基本 孔梅影 孙殿照 曾一平 黄运衡47

分子束外延高性能P型GaAs单晶薄膜 梁基本 孙殿照 陈宗圭 黄运衡 孔梅影48

以固态三甲基铟为源材料用低压MOEVD方法生长的极高迁移率InP 朱龙德 K．T．Chan J．M．Ballantyne48

高质量InP的MOCVD生长和材料性能 朱龙德 K．T．Chan J．M．Ballantyne49

在InP缓冲层上高质量GaInAs的常压MOCVD生长 K．T．Chan 朱龙德 J．M．Ballantyne49

常压MOCVD生长的In0.53 Ga0.47As/InP异质结中二维电子气体 朱龙德 P．E．Sulewskl K．T．Chan K．Muro J．M．Ballantyne A．J．Slevers49

在从属的激光器腔体中引入分布式可饱和吸收区而实现的Ridge波导激光器之间同相位耦合振荡 朱龙德 G．B．Feak J．M．Ballantyne50

用MOCVD和反应性离子束腐蚀工艺制作的低阈值渐变拆射率分别限制单量子阱激光器 朱龙德 G．B．Feak D．K．Wagner J．M．Ballantyne50

用低温光荧光方法研究高纯InP的MOCVD生长 朱龙德 K．T．Chan D．K．Wagner J．M．Ballantyne51

传感器与表面器件研究室52

Pd—MOSFET氢敏特性影响因素研究 黄启成李建中 张秋江 刘家泰 陆文兰 楼章和 崔华坤52

H2S气敏Pd栅MOS器件 陆文兰 楼章和 李国花 张淑兰54

电化学腐蚀硅的光敏效应及自动终止 李东研 W．H．Ko55

高水平抗幅照SOS—CMOS集成电路 刘忠立 和致经 茅冬生 张桂亭 张永刚59

LPCVD掺硼多晶硅膜的性质及制备 和致经 吴江发 黄瑞兰 梁桂荣61

微机控制的高精度IC测试仪 林雨 李云岗65

双极型集成电路晶体管的优化图形设计软件 李致洁68

硅平面型稳压二极管制备工艺 胡铁铮69

零偏置工作的准光学肖特基二极管捡波器 郑东 王良臣 王森 方浦明 柳吉林71

半导体微波器件研究室71

光纤通讯用超高速锗雪崩光电二极管(Ge—APD) 张执中王茂增74

五厘米俘获等离子体雪崩管微波源 何希哲 刘焕章 邹立寿 傅刚 葛勇才75

双漂移区P+PNN+离子注入激光退火8mm雪崩二极管振荡器 刘衍芳 杨玉芬 张黄河 候梦会 王保强76

8毫米GaAs梁式引线肖特基势垒混频二极管 郑东 王良臣 方浦明 王瑞林77

离子注入激光退火的硅毫米波段IMPATF器件 刘衍芳 杨玉芬 石万全 刘世祥 柳雪君77

金电极退火对分子束外延GaAs中深能级的影响 徐鸿达 T．G．Andersson78

分子束外延GaAs生长条件与深能级的关系 徐鸿达 T．G．Andersson J．Westin78

金与分子束外延CraAs接触的退火分析 徐鸿达 T．G Andersson S．Ulf78

分子束外延GaAs中的杂质和深能级 T．G．Andersson 徐鸿达 J．Westin79

在掺Cr半绝缘GaAs衬底上离子注入形成n型薄层 黄碧莲79

金属与InP接触特性分析 陈定欣80

平面型Gunn器件SiO2的低温淀积 陈定欣81

电子学应用研究室84

特种高速固体脉冲源的研究 周旋李锦林 鲍秉乾84

电化学CV自动测试仪 范东华 仇兰华 李平江 关英贤 周仁楷 吕和平86

微机控制瞬态信号记录仪 谢福增 童其美 王鲁峰86

LCM 1020 MODEM 在微机化煤车秤数据传输中的应用 韩汝水 周仁楷 潘桂堂 孔繁亮87

半导体光电器件研究室89

1.3微米InGaAsP质量输运BH激光器的研制 彭怀德汪孝杰 马英棣 王莉 张盛廉 吕卉 王丽明 马朝华89

1.3微米低阈值大功率基横模BH InGaAsP/InP激光器 王圩 张静媛 田慧良 汪孝杰 器件工艺组90

1.3微米低阈值DC-PBH激光器 彭怀德 汪孝杰 王莉 马英棣 张盛廉 吕卉 王丽明 潘贵生91

分子束外延生长的AlGaAs/GaAs多量子阱激光器 陈良惠 张永航 王文沧 王启明 梁基本 曾一平 孙殿照 孔梅影91

用MOCVD法在Si衬底上制备AlGaAs/GaAs横向结条形激光器 胡雄伟 酒井士郎 曾我哲夫 梅野正义95

双稳激光器的不稳定性本质研究 王守武 王启明 林世鸣98

单腔双接触结构激光器双稳特性研究 王守武 王启明 林世鸣98

GaAs/GaAlAs双区共腔光双稳激光器的实验研究(I) 王启明 赵建和 吴荣汉 刘文旭99

双区共腔GaInAsP/InP双稳态半导体激光器的实验研究 李建蒙 彭怀德 王启明102

双区共腔双稳态激光器中的瞬态响应和光放大 王启明 李建蒙102

GaAs/GaAlAs PNPN激光二极管的光学双稳态 王守武 吴荣汉 张权生 许丹霞105

光触发GaAs/GaAlAs异质结负阻激光器 张权生 吴荣汉 李照银105

大功率分别限制(SCH)GaAlAs/GaAs激光器 石志文 杨培生 庄婉如105

测距用匀相位GaAs/GaAlAs激光二极管 庄婉如 石志文 杨培生 潘贵生108

GaAs中同时扩散Zn和In的研究 余金中 郭良 朱素珍 张霞 马朝华110

短波长AlGaAs/GaAs V形槽衬底内条形激光器 余金中 阎立 郭良 朱素珍 张霞 叶力晶115

半导体激光器近场相位分布测量系统 潘贵生 安贵仁 张敬明117

WDG30光谱测量数据采集处理系统 潘贵生 徐俊英 许继宗 庄蔚华121

GaAs-光纤温度传感器及测温仪 张敬明 弓继书 潘贵生123

半导体四层漏光波导的分析Ⅱ∶强耦合近似与精确解 张敬明123

物理和化学分析研究室127

表面带电样品的俄歇分析 余觉觉牧青127

大圆片样品方块电阻测试及经向等高线的绘制 王万年128

MBE-GaAs/AlAs一维超晶格结构参数的X射线双晶衍射测量 王玉田 陈宗圭133

半绝缘砷化镓的低温阴极荧光和光调制束感生电流研究 李成基 Q．Sun J．Lagowski H．C．Gatos134

锂的选择性无机离子交换剂的研究 一．应用品态磷酸氢钛选择交换锂 梁志成 上野景平136

石墨炉原子吸收法测定硅中铂族金属掺杂剂 崔仙航 马会民141

GaAs和InSb中痕量碲的无火焰原子吸收光谱法测定 崔仙航 徐学敏145

半导体薄膜中痕量元素的测定方法 崔仙航 徐学敏 梁志成 严性天148

高纯氮气和氢气中痕量金属杂质的分析 严性天149

气相色谱法测定非晶硅薄膜中氢含量 吕惠云 武锦华 孔光临 刘昌灵 尹恩华152

用电化学CV法测量多个P-N结的半导体外延片 单磊 梁凯旋154

三探针击穿电压法的测量局限性 杨丽卿155

半导体公共工艺实验室159

离子注入硅的电子束退火研究 王培大孙慧龄 李秀琼 林达159

微聚焦离子束用Ga及Au-Si液态金属离子源 张立宝 葛璜 马祥彬 凌仲珪159

Au-Si共晶合金液态金属离子源 张立宝 葛璜 马祥彬 凌仲珪160

砷化镓的反应离子刻蚀 李建中160

硅及硅化钽超精细结构的刻蚀 李建中 I．Adesida E．D．Wolf161

反应离子刻蚀中钝化层的作用 李建中161

平面型SnO2微型传感器 李秉臣 毕可奎 李建中 楼章和 李国花162

SnO2薄膜的气敏特性 李秉臣 李建中163

小型硅片腐蚀抛光机 安贵仁 杨子祥 李灵霄164

硅片表面热诱导微缺陷的行为及其主要来源 张一心164

硅中铁对氧沉淀的影响 张一心164

半导体物理部166

超晶格中空穴子带的理论 汤蕙黄昆166

空穴带之间的混合对GaAs/GaAlAs量子阱激光谱的影响 朱邦芬 黄昆166

在不同的电子基函数下无幅射多声子跃迁几率的数值计算 朱邦芬167

GaAs/GaAlAs中的声子模及喇曼散射 朱邦芬 K．A．Chao167

一般混晶半导体中浓度和散射强度对电导率的影响 刘东源167

GaP中N和NNi压力行为理论 杨桂林 王炳燊168

GaP中N和NNi的压力行为-以EPM能带结构为基础的理论研究 王炳燊168

超晶格电子结构的赝势计算 夏建白 A．Baldereschi168

惰性原子固体中的激子 夏建白 A．Baldereschi169

惰性原子固体和液体中的相关效应 夏建白 A．Baldereschi169

卤化碱中F心的赝势计算 夏建白 A．Baldereschi169

电子散射态的Ab-Initio赝势 夏建白 A．Baldereschi169

硅中间隙式4d过渡金属杂质的电子结构 吴汲安 唐九耀170

Si：Pd深能级的Xα-SW研究 唐九耀 唐景昌 黄绮 冯克安 吴汲安170

半经验自洽CNDO分子轨道法研究金刚石结构半导体(111)表面性质以及H，F和Cl在Si(111)上吸附 吴汲安171

铜表面吸附CO振动喇曼强度的集团模型计算 吴汲安 H．Metiu B．K．Kirtman171

键轨道的近似计算 钟学富171

键轨道的直接计算 钟学富172

代位杂质局域振动的键轨道方法 钟学富 江德生172

硅表面氧吸附的自洽键轨道计算 钟学富 邢益荣172

a-Si：Cl：H和a-Si：H的光诱导效应 黄林 田金法 刘昌灵 孔光临173

砷化镓隧道发射晶体管 续竞存173

Si：Cr中E能级的计算 王永良173

采用键轨道的集团模型计算 钟学富173

Staebler-Wronski效应是体效应 周江淮 黄林 孔光临174

a-Si：H的低温电导及其光致变化效应 周江淮 孔光临175

非晶硅氢薄膜SW效应的光子能量依赖关系 田金法 江德生 郑秉茹 黄林 孔光临 林兰英176

两种新型的非晶半导体多层结构 陈治明 王建农 梅向阳 孔光临177

a-Si：H/a-C：H和μC-Si：H/a-Si：H多层膜的光学性质 陈治明 江德生 梅向阳 王建农 孔光临177

一种新型超晶格a-Si：H/a-C：H的某些结果 孔光临 张青 陈治明177

量子霍耳效应中的尺寸效应 郑厚植 蔡广杰 崔琦178

窄沟GaAs/AlGaAs异质结中的栅控输运特性 郑厚植 魏宣平 崔琦180

GaAs-AlGaAs异质结构中量子化Hall电势的分布 郑厚植 张绵富 崔琦184

0.3K下的GaAs/AlGaAs异质结中的分数量子霍耳效应 杨富华 程文超 郑厚植 周海平186

有并联电导的调制掺杂n-AlGaAs/GaAs异质结 朱咏堂 周海平 董谋群 江丕桓 孙殿照 陈宗圭 曾一平190

调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结持久光电导的光谱响应 董谋群 葛惟锟 江丕桓 孙殿照 曾一平195

液氮实验时可以更换的样品架及入口 蔡泓 董谋群 杨富华 江丕桓199

As+注入及红外瞬态退火形成TiSi2和n+p结 殷士端 张敬平202

As+注入引起Ti/Si的界面混和效应 张敬平 殷士端 吴春武 林惠旺 叶敏 钱佩信202

用沟道效应分析蓝宝石上外延Si的自注入和再结晶 范仁永 郁元桓 殷士端 林兰英203

Si中注Pb的红外瞬态退火 殷士端 张敬平 顾诠 许振嘉203

Si中注Zn的辐射损伤和杂质扩散 殷士端 张敬平 顾诠203

AlGaP固熔体XPS和AES研究 钟战天 邢益荣 涂相征204

MBE-Al/GaAs界面反应和真空热处理效应 钟战天 陈宗圭 邢益荣 孙殿照 沈光地204

可望实用的Si(113)晶面 邢益荣204

清洁的，氧和H2O覆盖的Si单晶圆柱面上的表面偶极子和Fermi能级位置-光电子谱研究 W．Ranke 邢益荣205

氧在GaP(TTT)表面上化学吸附的UPS研究 邢益荣 W．Ranke205

氧在硅表面上吸附的晶向关系 邢益荣 W．Ranke205

H2O在Si(100)-2×1表面上的吸附和氧化 邢益荣 W．Ranke206

GaAS和Si的电子亲和势和功函数的比较研究 邢益荣 W．Ranke206

钛硅化物生成中杂质的外扩散 王佑祥 许振嘉207

Nb硅化物的生成和化学键 王佑祥 许振嘉208

闭循环致冷机低温泵的调试 周增圻 吴魁 李志义 刘宝祥208

产额谱仪的超高真空抽气 周增圻 翟应东 吴魁 刘宝祥 李志义209

分子束外延生长选择掺杂GaAs/AlGaAs异质结的反射光谱 汤寅生 江德生209

GaAs中碳局域模振动红外吸收的温度依赖关系 江德生 宋春英 郑捷飞 许振嘉210

GaAs中碳的红外吸收及其室温浓度测量 江德生 宋春英 郑捷飞 许振嘉210

InP的多声子红外吸收 张玉爱 江德生 许振嘉210

半绝缘砷化镓中与EL2缺陷有关的局域模振动吸收研究 宋春英 葛惟锟 江德生 许振嘉211

GaAs-AlGaAs DH发光管的压力调频研究 赵学恕 李国华 汪兆平 韩和相 石志文 王丽明 唐汝明216

在氢化和氯化的非晶硅膜中的Si-Cl键 汪兆平 韩和相 赵学恕 李国华217

氧在a-GaAs(∶H)表面吸附的光电子谱研究 汪兆平217

AlGaAs-GaAs多层量子阱结构的流体静压光荧光研究 赵学恕 李国华 韩和相 汪兆平 陈宗圭 孙殿照 孔梅影 唐汝明 王丽君217

GaAs-GaAlAs多量子阱结构中热载流子的微微秒弛豫过程的研究 徐仲英 李玉璋 徐俊英 许继宗 郑宝真 葛惟锟 庄蔚华218

GaAs-GaAlAs多量子阱结构发光的激子性质和温度特性 徐仲英 梁基本 许继宗 郑宝真 李玉璋 徐俊英 曾一平 葛惟锟218

GaAs-GaAlAs多量子阱结构的光泵受激发射 徐仲英 庄蔚华 郑宝真 徐俊英 许继宗 陈宗圭 周海天219

GaAs--AlAs多量子阱结构的光致发光谱 庄蔚华 滕达 徐仲英 许继宗 陈宗圭219

200ps脉冲激发的MBE-GaAs/GaAlAs多量子阱异质结的光致发光特性 徐仲英 许继宗 李玉璋 郑宝真 徐俊英 庄蔚华 陈宗圭219

GaAs-GaAlAs量子阱的杂质光荧光光谱 徐仲英 陈宗圭 滕达 庄蔚华 徐俊英 许继宗 郑宝真 梁基本 孔梅影220

高掺杂InGaAsP材料的荧光光谱和Moss-Burstein移动 李玉璋 郑宝真 彭怀德 唐骏 庄蔚华220

DH激光器有源区InGaAsP中与声子有关的俄歇复合 郑宝真 徐俊英 许继宗 李玉璋 庄蔚华 徐仲英220

n型砷化镓深能级发光的动力学分析 葛惟锟221

1.3微米InP/InGaAsP双异质结激光器的增益光谱及Auger复合 李玉璋 岳京兴 徐俊英 汪孝杰 庄蔚华221

示踪铬扩入MOCVD-GaAs的深能级剖面研究 葛惟锟 B．Hamilton A．R．Peaker M．Brozel B．Tuck D．R．Wight222

含新施主Si材料的光致发光研究 葛惟锟222

Si中Pd能级的DLTS识别 周洁 阮圣央 郝灴 葛惟锟 吉秀江 李树英222

硅中电子辐照缺陷与杂质钯原子间的相互作用 周洁 阮圣央 郝灴 葛惟锟 吉秀江 李树英223

电场对Si中钛有关能级的影响 高小平 许振嘉223

肖特基二极管导纳的研究及其在能级测量中的应用 高小平 周洁 许振嘉223

利用I-V特性确定Schottky势垒中的准费米能级 葛惟锟224

技术服务站225

离子色谱在半导体工艺中的应用-高纯水，高纯硅烷中超痕量阴离子的测定 闻瑞梅李希云225

高纯树脂转型，污染及复苏的技术研究 闻瑞梅 李希云 薛继周225

特种气体磷烷，硼烷，硅烷及高纯氮，氢，氧，氩等气体中阴阳离子，可溶二氧化硅及有机物，尘埃等痕量杂质的测定方法 闻瑞梅 李希云227