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目 录1

第一章卤化碱晶体的击穿1

1.1 卤化碱晶体击穿实验1

1.2电子失稳11

1.3方向性击穿13

1.4晶体中的击穿路径和花样18

1.5击穿判据28

1.6电子倍增雪崩与击穿29

参考文献34

第二章电击穿与热击穿36

2.1 电介质的电导率36

2.2固态电介质击穿类型的区分问题39

2.3接实验现象特征区分39

2.4按理论概念区分42

2.5热击穿的一般原理46

2.6一维稳态热击穿解47

参考文献53

3.1 MOS电容器54

第三章二氧化硅薄膜的击穿54

3.2 自愈合击穿61

3.3击穿示波图67

3.4 MOS击穿的温度71

3.5 MOS单孔击穿机制的初步探索72

3.6击穿发生时的能量关系80

3.7击穿孔的大小80

3.8二氧化硅膜中热击穿事例85

3.9再讨论热击穿与电击穿94

3.10电极极性效应与前击穿现象106

3.11标准化的击穿试验万法111

3.12材料和工艺参量对于MOS击穿强度的影响………115

3.13开关事件与击穿事件120

3.14热生长二氧化硅膜中F-N隧穿电流123

3.15 MOS氧化膜减薄趋势130

3.16薄氧的电击穿特性131

参考文献134

第四章电击穿理论（上）140

4.1单电子近似本征击穿理论140

4.2 Fr？hlich关于非晶态电介质的本征击穿理论152

4.3雪崩击穿的理论概念157

4.4单电子碰撞电离雪崩击穿理论159

4.5卤化碱的低温击穿性质164

4.6 卤化碱的高温击穿性质170

4.7玻璃和石英175

4.8云母175

4.9前期电击穿理论的简单回顾177

参考文献179

5.1 电流失稳碰撞电离－漂移模型181

第五章电击穿理论（下）181

5.2碰撞电离－复合模型193

5.3辨认二氧化硅膜中碰撞电离的实验207

5.4对ID与IR模型的讨论212

参考文献216

第六章电介质与时间有关的击穿（TDDB）218

6.1 热生长二氧化硅膜中与时间有关的介质击穿218

6.2 TDDB与电场加速试验225

6.3薄氧TDDB的M-B模型231

参考文献236

7.1 Harari实验237

第七章二氧化硅膜中电荷陷阱化与击穿237

7.2 400—1000？SiO2膜的击穿强度与厚度的关系248

7.3快击穿与慢击穿257

7.4共振隧穿与击穿259

7.5二氧化硅膜中电子热化与击穿262

参考文献263

第八章击穿统计266

8.1击穿事件的随机性与局域性266

8.2击穿统计研究概况278

8.3极值统计学280

8.4二氧化硅膜中电荷陷阱的产生与击穿统计281

参考文献290

附录A硅物理294

参考文献303

附录B MOS结构的基本理论304

参考文献317

附录C MOS电容－电压方法319

参考文献332

附录D各种卤化碱的晶体常数333

参考文献333