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导论1

一、声表面波1

二、声电荷传输器件2

三、电荷耦合器件技术发展概况2

(一)引言2

(二)发展概况3

四、静磁波技术发展概况4

(一)引言4

(二)发展概况4

第一章声表面波原理及器件7

1.1 声表面波7

1.1.1 各向同性弹性固体表面的声表面波7

1.1.2 各向异性弹性固体中的声表面波10

1.2.1 概述11

1.2 声表面波器件用的压电材料11

1.2.2 压电材料的声表面波特性12

1.3 声表面波换能器15

1.3.1 声表面波换能器15

1.3.2 声表面波叉指换能器分析16

1.4 声表面波器件19

1.4.1 声表面波滤波器21

1.4.2 电视中频滤波器设计26

1.4.3 声表面波谐振器27

1.4.4 匹配滤波器33

1.4.5 声表面波卷积器37

1.5 浅体声波器件39

1.5.1 概述39

1.5.2 掠面体波器件40

1.5.3 能陷栅的应用41

1.6.1 引论42

1.6 声光器件42

1.6.2 声表面波—光器件43

1.7 二阶效应及衍射的影响44

1.8 声表面波器件的计算机辅助设计45

1.9 声表面波器件的敏感度47

第二章声表面波频率源49

2.1 声表面波振荡器49

2.2 声表面波振荡器的频率稳定性51

2.2.1 短期频率稳定性51

2.2.2 振动灵敏度52

2.2.3 温度稳定性53

2.2.4 长期频率稳定性53

2.3 声表面波跳频技术53

2.3.1 注入法实现跳频54

2.3.2 滤波器组式跳频55

第三章声电荷传输器件57

3.1 声电荷传输器件基本工作原理57

3.1.1 器件的基本结构57

3.1.2 电荷包的产生与传输57

3.2 电荷包的无损读出59

3.3 声电荷模拟存储器60

3.4 异质结声电荷传输器件61

3.5 可能的注入技术62

3.6 器件参数62

3.7 ACT与其它信号处理技术比较64

3.8 ACT器件的几个问题讨论64

第四章电荷耦合器件67

4.1 电荷耦合器件原理67

4.1.1 前言67

4.1.3 电荷耦合69

4.1.2 电荷处理容量69

4.1.4 电荷传输70

4.1.5 表面态对转移损失率的影响75

4.2 CCD的输入-输出结构77

4.2.1 CCD的电荷注入77

4.2.2 光信号注入78

4.2.3 CCD的电荷输出78

4.3 CCD的物理性能78

4.3.1 信号处理能力78

4.3.2 转移损失率82

4.3.3 噪声93

4.4 CCD器件96

4.4.1 延迟型器件96

4.4.2 摄像型器件98

4.4.3 其它CCD器件99

第五章静磁波器件101

5.1 静磁波概述101

5.2 静磁波器件原理102

5.2.1 静磁波的激励102

5.2.2 静磁波的控制和检测104

5.3 常用静磁波器件106

5.3.1 引言106

5.3.2 延迟线107

5.3.3 其它器件115

第六章模拟信号处理119

6.1 声表面波器件的信号处理功能119

6.2 声电荷传输器件的信号处理功能120

6.2.1 声电荷传输可编程抽头延迟线120

6.2.2 ACT线性调频滤波器120

6.2.3 可编程ACT带通滤波器121

6.2.4 多功能可编程ACT技术123

6.2.5 ACT信号微处理器125

6.3 用CCD实现的信号处理技术127

6.3.1 CCD自适应滤波127

6.3.2 时间—展宽压缩技术136

6.3.3 CCD摄像137

6.4 用静磁波器件实现的信号处理技术140

6.4.1 引言140

6.4.2 MSW信号处理能力140

6.5 混合信号处理143

6.5.1 数字—sAW信号处理143

6.5.2 计算机—数字—sAW混合系统146

6.5.3 CCD—sAW信号处理147

6.5.4 SAW—光信号处理151

6.5.5 声表面波成像155

6.6 声表面波传感技术157

7.1.1 集成电路制造159

第七章工艺概述159

7.1 集成电路工艺概述159

7.1.2 常规平面工艺160

7.1.3 微细加工技术176

7.2 CCD器件工艺流程180

7.2.1 引言180

7.2.2 铝栅工艺180

7.2.3 常用的CCD工艺181

7.2.4 CCD器件工艺流程183

7.3 声表面波器件工艺流程183

7.3.1 声表面波器件制作工艺流程184

7.3.2 ZnO薄膜声表面波器件工艺185

7.3.3 沟槽式声表面波器件制作工艺186

7.4 静磁波器件工艺流程187

参考文献188

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