《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》高清PDF
作者:郝跃,张金风,张进成著
出版:北京:科学出版社
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出版时间:2013.01 (求助前请核对清楚)
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本书以作者多年的研究成果为基础,系统地介绍了Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法,重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管(HEMT)与相关氮化物材料。
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