本书重点分析讨论了硅半导体器件的电离辐射损伤效应及其抗辐射加固的基本原理和方法，包括：空间电离辐射环境、半导体电离辐射损伤、器件单粒子翻转率的基本概念和基本机理的分析，硅双极半导体器件、MOS器件、CMOS/SOI器件和DMOS器件电离总剂量辐射效应、瞬时剂量率辐射效应、单粒子栅穿和单粒子烧毁的基本机理及其与关键设计参数、工艺参数的关系以及辐射加固的基本原理和基本方法，最后对纳米级器件结构的辐射效应以及辐射加固的基本原理进行概述和展望。

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