《表2 非平衡状态下N/P-柱区掺杂浓度与器件击穿电压关系》

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《新型半超结逆导IGBT的导通机理分析》

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将表3中的电荷不平衡程度CD%与击穿电压值绘制成折线图，如图3。可以看出在N/P-柱掺杂浓度为分别为2.93e15 cm-3、6e15 cm-3时，此时CD%为0，器件的击穿电压最高。当器件不平衡时，N-柱和P-柱的不平衡程度CD%绝对值越高，击穿电压值越低。半超结RC-IGBT的N-柱和P-柱的掺杂浓度较传统的RC-IGBT器件的N漂移区掺杂浓度高到2-3个数量级，因而二者之间的浓度不平衡程度CD%误差应该尽可能小，这样才保证器件具有良好的耐压特性[5-8]。