《表4 不同EFP掺杂浓度下阻断电压UB和导通压降UCE》
提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
本系列图表出处文件名:随高清版一同展现
《一种具有延伸浮空P基区结构的CSTBT器件特性分析及关键参数优化》
表4是不同EFP掺杂浓度下正向导通与耐压特性数据对比。EFP掺杂浓度对器件的导通压降几乎没有影响,在没有掺杂和掺杂浓度为1.5×1015cm-3时差0.003V,浓度增加,导通压降降低,但是改变量只有原导通压降的0.12%。
图表编号 | XD00184336600 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2020.12.05 |
作者 | 孙海峰、蔡江、张红玉 |
绘制单位 | 华北电力大学电气与电子工程学院、华北电力大学电气与电子工程学院、华北电力大学电气与电子工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |